سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

طراحی حسگر دمای کم توان مبتنی بر عملکرد زیرآستانه ترانزیستورهای نانولوله کربنی با خطای یک و نیم درجه سانتی گراد درمحدوده ۳۰- تا ۱۲۵ درجه سانتی گراد

Publish Year: 1401
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 322

This Paper With 14 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

JR_JIPET-13-50_007

Index date: 11 October 2021

طراحی حسگر دمای کم توان مبتنی بر عملکرد زیرآستانه ترانزیستورهای نانولوله کربنی با خطای یک و نیم درجه سانتی گراد درمحدوده ۳۰- تا ۱۲۵ درجه سانتی گراد abstract

در این مقاله، یک حس­گر دمای جدید مبتنی بر عملکرد ترانزیستورهای نانو لوله کربنی در ناحیه زیرآستانه طراحی و شبیه­سازی شده است که باعث کاهش چشم­گیر توان مصرفی می­شود. در خروجی از یک تقویت­کننده تفاضلی استفاده شده و جهت ثابت ماندن مقادیر بهره و سطح مد مشترک در اثر تغییرات دما، روشی پیشنهادی می­تواند به جبران­سازی این تغییرات ناشی از تغییرات دمایی در محدوده ۳۰- الی ۱۲۵+ درجه سانتی­گراد پاسخ دهد. حس­گر دمایی به­همراه تقویت­کننده آن می­تواند به­صورت یک سیستم بر روی سطح تراشه برای مانیتورینگ و کنترل دما استفاده گردد. همچنین در فناوری ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی (CNTFET) با ولتاژ تغذیه ۵/۰ ولت در ناحیه زیرآستانه توسط نرم­افزار HSPICE توسط مدل نانوکربنی (CNT) ۳۲ نانومتر شبیه­سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می­دهد که در دماهای ۳۰- تا ۱۲۵ درجه سانتی­گراد به­صورت خطی و با حساسیت یک میلی­ولت بر درجه، دما را اندازه­گیری می­کند و در دمای اتاق تنها ۱۲۳ نانو وات توان مصرف می­نماید. همچنین خطای اندازه­گیری شده در دمای ۱۲۵ درجه سانتی­گراد حدود ۵/۲ میلی-ولت است که به معنی خطای ۲۵/۱ درجه سانتی­گراد در این دما است.

طراحی حسگر دمای کم توان مبتنی بر عملکرد زیرآستانه ترانزیستورهای نانولوله کربنی با خطای یک و نیم درجه سانتی گراد درمحدوده ۳۰- تا ۱۲۵ درجه سانتی گراد Keywords:

حسگر دما , ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی , دقت , کم توان , زیر آستانه

طراحی حسگر دمای کم توان مبتنی بر عملکرد زیرآستانه ترانزیستورهای نانولوله کربنی با خطای یک و نیم درجه سانتی گراد درمحدوده ۳۰- تا ۱۲۵ درجه سانتی گراد authors

سید محمد علی زنجانی

مرکز تحقیقات ریز شبکه های هوشمند- واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران

مصطفی پرویزی

دانشکده مهندسی برق- واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران

معصومه عالی پور

دانشکده مهندسی برق- واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
A. Bakker, J.H. Huigsing, "Micropower CMOS temperature sensor with digital ...
V. Szekely, C. Marta, Z. Kohari, M. Rencz, “CMOS sensors ...
S. Chakraborty, A. Pandey, S.K. Saw, V. Nath, "A ۱.۳۷nW ...
G. Wang, G.C.M. Meijer, "The temperature characteristics of bipolar transistors ...
G.C.M. Meijer, G. Wang, F. Fruett, "Temperature sensors and voltage ...
M.A. Pertijs, P. Niederkorn, A. Xu, M. McKillop, B. Bakker, ...
M. Sasaki, M. Ikeda, K. Asada, "A temperature sensor with ...
P. Chen, C.C. Chen, Y.H. Peng, K.M. Wang, Y.S. Wang, ...
D. Parsad, V. Nath, "An ultra-low power high-performance CMOS temperature ...
A. Bakker, J. Huijsing, "High-accuracy CMOS smart temperature sensors", ۱st ...
H. Mahmoodian, M. Dolatshahi, "An energy-efficient sample-and-hold circuit in CNTFET ...
S.M.A. Zanjani, M. Dousti, M. Dolatshahi, "A new low-power, universal, ...
S.M.A. Zanjani, M. Parvizi, "Design and simulation of a bulk ...
N. Dehabadi, R. Faghih Mirzaee, “Ternary DCVS half adder with ...
A. Baghi Rahin, V. Baghi Rahin. "A new ۲-input CNTFET-based ...
K. Karami, S.M.A. Zanjani, M. Dolatshahi. "Design and simulation of ...
A. T. Mahani, P. Keshavarzian, "A novel energy-efficient and high-speed ...
F. Sharifi, A. Panahi, M. H. Moaiyeri, H. Sharifi, K. ...
P. Keshavarzian, R. Sarifkhani, "A novel CNTFET-based ternary full adder", ...
C. Zhu, A. Chortos, Y. Wang, R. Pfattner, T. Lei, ...
G. Almudever, A. Rubio, "Variability and reliability analysis of CNFET ...
D. Akinwande, J. Liang, S. Chong, Y. Nishi, H.S.P. Wong, ...
Y.B. Kim, Y.B. Kim, F. Lombardi, "A novel design methodology ...
A. Pandey, V. Nath, "A CMOS temperature sensor and auto-zeroing ...
A. Sahafi, J. Sobhi, Z.D. Koozehkanani, "Nano watt CMOS temperature ...
M. Sasaki, M. Ikeda, K. Asada, "A temperature sensor with ...
K. Souri, Y. Chae, K.A.A. Makinwa, "A CMOS temperature sensor ...
P. Zhang, H. Lu, "A ۳۳.۶ μm۲ ۱۲.۳ nW self-biased differential temperature sensor ...
Y. Bao, W. Li, "A high-speed temperature sensor with low ...
M. Bashir, P. Rao, "A low power, miniature temperature sensor ...
نمایش کامل مراجع