معرفی موجبر نامتقارن چهارگانه جدید و بررسی به کارگیری آن بر عملکرد لیزر نیمه رسانای مبتنی برGaN

Publish Year: 1400
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 144

This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

NREAS03_045

تاریخ نمایه سازی: 16 آبان 1400

Abstract:

در این مقاله، برای اولین بار، ساختار موجبری با نامتقارنی چهارتایی معرفی و تاثیر آن بر عملکرد یک لیزر نیمه رسانای متقارن آزمایشگاهی مبتنی بر-GaN مقایسه شدهاست. در موجبر پیشنهادی جدید برای بهبود عملکرد لیزر، ساختار متقارن مرسوم لیزر نیمه رسانا تغییر داده می شود. برای این منظور در سمت-p لیزر متقارن متداول در مقایسه با سمت-n آن یک نامتقارنی چهار گانه اعمال می گردد. مرحله اول شامل حذف لایه های موجبر و متوقف کننده نشت الکترونی در سمت-p لیزر ساخته شده است و پس از آن ضخامت، ترکیب و آلایش لایه کلدینگ نوع-p نسبت به لایه کلدینگ نوع-n تغییر داده می شود و عملکرد دو لیزر به صورت تئوری با استفاده از شبیه سازی سه بعدی مقایسه شده اند. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که ساختار پیشنهادی جدید عملکرد لیزر متقارن را به صورت موثری بهبود می بخشد. دلایل بهینگی نیز در این مطالعه مورد بررسی قرار می گیرند. تزریق موثرتر حفره ها دلیل اصلی بهبود عملکرد ساختار جدید است.

Keywords:

Authors

زهرا دانش کفترودی

استادیار، دانشگاه گیلان، دانشکده فنی و مهندسی شرق گیلان.