معرفی ساختار نامتقارن سه گانه ی اکستریم و بررسی تاثیر آن بر عملکرد لیزر نیمه رسانای قرمز

در این مقاله، برای اولین بار با معرفی ساختار موجبر نامتقارن سه گانه ی اکستریم معرفی شده و تاثیر آن بر عملکرد لیزر نیمه رسانای قرمز مبتنی برAlGaInP بررسی شده است. در ساختار موجبر پیشنهادی جدید برای تغییر ساختار یک لیزر متقارن مرسوم، در گام نخست، ضخامت های لایه ی موجبر و کلدینگ آلائیده نوع n افزایش یافته است و پس از آن برای طراحی لایه های کلدینگ و موجبر آلائیده نوعn و p در ساختار لیزر نیمه رسانای قرمز، یک نامتقارنی سه گانه در نظر گرفته شده است و سپس مشخصه توان- جریان و ولتاژ- جریان ادوات با استفاده از شبیه سازی بررسی شده اند. نتایج شبیه سازی نشان می هد که در ساختار موجبری نا متقارن پیشنهادی، به دلیل متوقف شدن جریان نشت الکترونی و افزایش آهنگ بازترکیب القایی، افزایش توان خروجی و کاهش جریان آستانه رخ می دهد، کاهش ولتاژ آستانه و مقاومت سری نیز مشاهده می شود. هرچهار تغییر نشان دهنده بهبود عملکرد ساختار پیشنهادی جدید است.

Keywords:

لیزر دیود مبتنی بر AlGaInP , شبیه سازی , موجبر نامتقارن سه گانه ی اکستریم , .PICS۳D