Anisotropic and Isotropic Elasticity Applied for the Study of Elastic Fields Generated by Interfacial Dislocations in a Heterostructure of InAs/(۰۰۱)GaAs Semiconductors
Publish place: Journal of Solid Mechanics، Vol: 13، Issue: 4
Publish Year: 1400
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: English
View: 130
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JSMA-13-4_008
تاریخ نمایه سازی: 19 آبان 1400
Abstract:
This work is a study of the elastic fields’ effect (stresses and displacements) caused by dislocations networks at a heterostructure interface of a InAs / GaAs semiconductors thin system in the cases of isotropic and anisotropic elasticity. The numerical study of this type of heterostructure aims to predict the behavior of the interface with respect to these elastic fields satisfying the boundary conditions. The method used is based on a development in Fourier series. The deformation near the dislocation is greater than the other locations far from the dislocation.
Keywords:
Authors
R Makhloufi
Mechanical Engineering Department, Faculty of Technology, LICEGS Laboratory, University of Batna ۲ Mostafa Ben Boulaid, Batna, Algeria
A Boussaha
Mechanical Engineering Department, Faculty of Technology, University of Batna ۲ Mostafa Ben Boulaid, Batna, Algeria
R Benbouta
Mechanical Engineering Department, Faculty of Technology, LICEGS Laboratory, University of Batna ۲ Mostafa Ben Boulaid, Batna, Algeria
L Baroura
Mechanical Engineering Department, University of Constantine ۱, Algeria
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :