تاثیر مواد و ضخامت لایه های کلدینگ بر کارایی لیزرهای دیودی چاه کوانتومی مبتنی بر گالیوم نیترات

Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 269

This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_IJSSE-14-37_005

تاریخ نمایه سازی: 13 دی 1400

Abstract:

مشخصات کارایی لیزر دیودهای چاه کوانتومی دوتایی In۰.۰۸۲Ga۰.۹۱۸N/GaN تابش کننده در ناحیه بنفش دور با استفاده از نرم افزار ISE-TCAD بطور عددی مورد مطالعه قرار گرفت. در این مطالعه نقش میزان آلومینیوم در ماده تشکیل دهنده و ضخامت لایه های کلدینگ AlGaN بر روی مشخصات کارایی مختلف از قبیل توان خروجی، جریان آستانه، شیب کارایی، کارایی کوانتومی خارجی (DQE)، و شدت اپتیکی این لیزر دیودها مورد بررسی قرار گرفت. نتایج شبیه سازی دلالت بر این دارد که افزایش میزان آلومینیوم در ترکیب AlGaN لایه های کلدینگ موجب افزایش DQE و شیب کارایی و کاهش جریان آستانه این لیزر دیودها می شود، در حالی که توان خروجی کاهش می یابد. نتایج شبیه سازی همچنین دلالت بر این دارد که افزایش ضخامت لایه های کلدینگ AlGaN موجب افزایش توان خروجی می شود. افزایش توان خروجی نتیجه افزایش چگالی های حامل های الکترون و حفره ها در چاه های کوانتومی و در نتیجه افزایش بازترکیب تابشی آنها می باشد.

Authors

مریم امیرحسینی

دانشگاه فنی بوئین زهرا، بوئین زهرا، قزوین، ایران

قاسم اله یاری زاد

دانشگاه شهید بهشتی، دانشکده مهندسی هسته ای، تهران، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Ohta, H., S.P. DenBaars, and S. Nakamura, Future of group-III ...
  • Amirhoseiny, M., Z. Hassan, and S. Ng, Fabrication of InN ...
  • Amirhoseiny, M., et al., Effect of annealing temperature on IR-detectors ...
  • Alahyarizadeh, G., et al., Performance enhancement of deep violet indium ...
  • Alahyarizadeh, G., Z. Hassan, and F.K. Yam, Improvement of the ...
  • Chen, J.R., et al., Numerical study of optical properties of ...
  • Alahyarizadeh, G., et al., Improvement of performance characteristics of deep ...
  • Dorsaz, J., et al., AlGaN-Free Blue III–Nitride Laser Diodes Grown ...
  • Kelchner, K.M., et al., Continuous-Wave Operation of Pure Blue AlGaN-Cladding-Free ...
  • Lee, S.-N., et al., Micro-crack-free high power blue-violet GaN-based laser ...
  • Zhang, L.Q., et al., Confinement factor and absorption loss of ...
  • Nakamura, S., et al., Room-temperature continuous-wave operation of InGaN multi-quantum-well ...
  • Nakamura, S., et al., Room-temperature continuous-wave operation of InGaN multi-quantum-well-structure ...
  • Nakamura, S., et al., Room-temperature continuous-wave operation of InGaN multi-quantum-well ...
  • نمایش کامل مراجع