یک تقویت کننده ی امپدانس انتقالیCMOS کم مصرف برای کاربردهای مخابرات نوری۲.۵Gb/s

در این مقاله یک تقویت کننده ی امپدانس انتقالی جهت گیرنده های نوری ارائه می شود. این تقویت کننده بر اساس توپولوژی فیدبک مقاومتی- خازنی به صورت موازی می باشد که از نظر توان مصرفی بهینه شده است و از تکنیک shunt peaking (بالازدگی موازی) نیز برای افزایش پهنای باند فرکانسی استفاده شده است. این مدار در تکنولوژی ۰.۱۸ µm CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی بهره ی ۶۷.۵ dBΩ، پهنای باند ۳GHz و توان مصرفی ۱۲.۱۶ mW را نشان می دهد که نشان دهنده عملکرد مناسب تقویت کننده ی پیشنهادی برای کاربردهای ۲.۵Gb/s جهت استفاده در استاندارد SONET OC-۴۸)) می باشد. دیاگرام چشمی به دست آمده برای نرخ داده ی ۲.۵ Gb/s کیفیت سیگنال قابل قبولی رابرای جریان های ورودی تا ۱۰ µA نشان می دهد.

Keywords:

تقویت کننده ی امپدانس انتقالی , CMOS , مخابرات نوری