سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

نقش عملیات حرارتی در استحاله فازی و تغییر ویژگی های الکترونیکی فیلم های سیلیکون

Publish Year: 1396
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 327

This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

JR_IJSSE-13-33_008

Index date: 11 January 2022

نقش عملیات حرارتی در استحاله فازی و تغییر ویژگی های الکترونیکی فیلم های سیلیکون abstract

فیلم هایی از سیلیکون آمورف به روش لایه­نشانی فیزیکی فاز بخار به کمک پرتو الکترونی (EB-PVD) ایجاد شد. فرآیند لایه­نشانی در شرایط خلا بالا (torr ۶-۱۰) که منجر به تشکیل یک پوشش آمورف البته با ضخامت های کنترل شده انجام شد. پس از نمونه سازی، نمونه ها در دمای oC۸۰۰ و در محیط گاز خنثی تحت شرایط عملیات حرارتی قرار گرفت و ویژگی های ساختاری و الکتریکی آن قبل و بعد از عملیات حرارتی مورد تحلیل قرار گرفت. نتایج حاصل از میکرورامان نشان­دهنده ساختار آمورف در پوشش­های اولیه بود که با افزایش ضخامت پوشش و حضور نقایص بیشتر مقداری از نانوکریستال­ها تشکیل شد. علاوه بر آن با اعمال شرایط عملیات حرارتی تشکیل، رشد و ادغام نانوکریستال­ها و تشکیل یک ساختار پلی­کریستال را شاهد هستیم. نانوکریستال­ها منجر به تشکیل پیوندهای sp۲ و sp۳شده که همین خود باعث افزایش هدایت الکتریکی پوشش در این شرایط شد و این افزایش هدایت الکتریکی با افزایش ضخامت پوشش بر روی نمونه های موردبررسی به شدت افزایش یافت.

نقش عملیات حرارتی در استحاله فازی و تغییر ویژگی های الکترونیکی فیلم های سیلیکون Keywords:

نقش عملیات حرارتی در استحاله فازی و تغییر ویژگی های الکترونیکی فیلم های سیلیکون authors

میثم زرچی

سازمان پژوهش های علمی و صنعتی ایران، پژوهشکده مواد پیشرفته و انرژی های نو، تهران، ایران

شاهرخ آهنگرانی

سازمان پژوهش های علمی و صنعتی ایران، پژوهشکده مواد پیشرفته و انرژی های نو، تهران، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
Dmitriev P. A, Makarov S. V, Milichko V. A, Laser ...
Melskens J, Schnegg A, Baldansuren A, Lips K, Plokker M. ...
Mercaldo L. V, Usatii I, Advances in Thin-Film Si Solar ...
Luysberg. M, Scholten. C, Houben. L, Carius. R, Structural Properties ...
Li M, Li J C, Jiang Q, Size-Dependent Band-Gap and ...
Cheng Q, Zeng Y, Huang J, Effect of substrate temperature ...
Xu X, Li Sh, Silicon nanowires prepared by electron beam ...
Qinglong L, Investigation on solid-phase crystallization techniques for low temperature ...
Cristina R, Gavrila R, Obreja A. C, Microfabrication and analysis ...
Wu K H, and Li Ch W, Light Absorption Enhancement ...
Chena Ch, Lina P. Y, Li T. T, Kinetic Study ...
Kitahara K, Ishii T, Suzuki J, Characterization of Defects and ...
Sinclair R, in situ high-resolution transmission electron microscopy of material ...
Marcins G, Butikova J, Tale I, Crystallization Processes of Amorphous ...
Chou Ch H, Lee I Ch, Yang P.Y, June Effects ...
Lei K. F, Materials and Fabrication Techniques for Nano and ...
Etsu Shin, silicon wafer cleaning, MicroSi at (۴۸۰) ۸۹۳-۸۸۹۸ ...
نمایش کامل مراجع