بررسی کلی ترانزیستور تک الکترونی

Publish Year: 1400
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 300

This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

EMAA20_016

تاریخ نمایه سازی: 16 اسفند 1400

Abstract:

ترانزیستورهای تک الکترونی مانند یک جعبه الکترون هستند که دارای دو اتصال جداگانه برای ورود و خروج الکترون می باشند بزرگترین مزیت ترانزیستورهای تک الکترونی این است که درابعاد بسیار کوچیک (نانومتر) قابل ساخت است در سال های اخیرکارکرد ترانزیستورهای تک الکترونی فقط در دمای بسیار پایین (چندصدمیلیون کلوین) امکان پذیر بود ولی به تازگی آزمایشات نشان داده است که امکان ساخت این ترانزیستورها به صورتی که در دمای اتاق کار کند وجود دارد و این امر باعث پیشرفت چشمگیری در الکترونیک خواهد داشت.در این مقاله اصول ترانزیستور تک الکترونی و هم چنین پیشرفت های اخیر در زمینه کارکرد آن در دمای اتاق و جزیره های مختلف برسی میکنیم بعداز آن پدیده تونل زنی و شکاف انرژی ، که اصول کارکرد ترانزیستور تک الکترونی را تشکیل می دهد برسی می کنیم .

Authors

مصطفی خشنود

دکترای برق – الکترونیک ، مدرس دانشگاه شهید چمران رشت

علی نعمتی ام آباد

دانشجوی کارشناسی دانشگاه شهید چمران رشت