مطالعه اثر تابش گاما روی خواص الکتریکی MOSFET و دیود MOS برای کاربرد دزیمتری
Publish Year: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 129
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_RSM-8-6_006
تاریخ نمایه سازی: 15 فروردین 1401
Abstract:
در این کار، اثر تابش پرتو گاما روی خواص ترانزیستورهای اثر میدان نیمه هادی اکسید فلزی (MOSFET) (براساس تغییر ولتاژ آستانه شان در اثر پرتودهی) بررسی شده است. ابتدا، اثر تابش گاما روی ترانزیستورهای PMOS تجاری موجود در بازار برای دزیمتری مطالعه گردید. نتایج نشان داد که پاسخ آشکارساز نسبت به دز دریافتی خطی نیست، بنابراین در ناحیه های مختلف مورد بررسی قرار گرفت. سپس، دیودهای MOS )به صورت اتصال (Al/n-Si/SiO۲/Al به عنوان دزیمتر ساخته شدند. نمونه های ساخته شده در دزهای میلی گری تا کیلوگری تابش دهی و رفتار الکتریکی آن ها مورد بررسی قرار گرفتند. مشاهده شد که در بایاس مستقیم تغییرات جریان، کم اما در بایاس معکوس و در ولتاژهای کمتر از ۲۰ ولت تغییرات جریان دیودها نسبت به دز دریافتی، زیاد و مقدار آن قابل اندازه گیری بود. هم چنین مشاهده گردید که حساسیت دیود یک عدد ثابت نیست و این ناشی از این مساله است که منحنی تغییرات دز نسبت به جریان خطی نمی باشد. از روی منحنی ها سه ناحیه نسبتا خطی به دست آمد و حساسیت ها نسبت به این سه ناحیه محاسبه گردید.
Keywords:
Metal oxides , Gamma irradiation , MOS diodes , Dosimeter , Responsivity. , اکسیدهای فلزی , تابش گاما , دیودهای MOS , دزیمتر , حساسیت.
Authors
توکل توحیدی
Radiation Application Research Institute - Northwest Research Complex (Bonab)
شهریار رحمت اله پور
Radiation Applications Research School-Northwest Research Complex
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :