بررسی تغییرات مشخصه های الکتریکی ترانزیستورهای دوقطبی پیوندی، قبل و پس از پرتودهی گاما

ترانزیستورهای پیوندی دوقطبی (BJTs) قطعات نیمه هادی فعالی هستند که معمولا به عنوان تقویت کننده و سوئیچینگ استفاده می شوند. در این تحقیق، ترانزیستورها برای کار در ناحیه ی فعال بایاس شده اند و با اندازه گیری مشخصه های الکتریکی قطعات، قبل و بعد از فرایند پرتودهی توسط چشمه ی ۶۰Co، اثر تابش گاما بر روی هر یک از این مشخصه ها بررسی گردیده است. به منظور اندازه­ گیری هر مشخصه، ابتدا مدار مناسب برای هر ترانزیستور طراحی گردیده، سپس اندازه گیری های لازم انجام شده است. نتایج تجربی نشان می دهند که با افزایش دز دریافتی توسط هر ترانزیستور، جریان کلکتور کاهش و ولتاژ کلکتور-امیتر افزایش می یابد. به­ طوری که بیش­ترین تغییر در مقدار مشخصه های ترانزیستورهای BD۹۱۱ و ۲N۳۴۲۰، پس از دریافت دز kGy ۲۰ مشاهده می شود. از طرفی دزهای تابشی کمتر از kGy ۱ تاثیر اندکی بر روی مشخصه های الکتریکی ترانزیستورهای BJT دارند. بنابراین می توان گفت که این ترانزیستورها دارای مقاومت ساختاری بیش­تری در مقابل پرتو بوده و می توان از آن ها در طراحی مدارهای الکترونیکی و دستگاه هایی که در محیط های تابشی به کار می ­روند، استفاده نمود.

Keywords:

BJT Transistor , Gamma irradiation , Electrical characteristics. , ترانزیستور BJT , تابش گاما , مشخصه های الکتریکی.