بررسی مدلهای نانومتریک CMOS و کاربرد آن دریک تقویت کننده زوج تفاضلی با تکنولوژی GATE BULK DRIVEN DRIVEN

امروزه با رشد فناوری نانو درهمه ابعاد شاهدجهشی بزرگ در عرصه فناوری هستیم دراین راستا شاید بتوان علم الکترونیک را به عنوان پیشرو این صنعت برشمرد می دانیم که ترانزیستور های با ابعاد ریزمیکون و نانوباعث انقلابی درصنعت کامپیوتر شده است یکی از مهمترین اهداف طراحان دست یابی مدارات با توان ورودی پایینتر می باشد دراین زمینه کاهش ابعاد ترانزیستورها و همچنین چندین تکنیک از قبیل راه اندازی از طریق پایه بالک زیراستانه خودکسکود و گیت شناور و ... Floating-gate ; Self-cascodeSub-Threshold ; Bulk-driven برای کاهش ولتاژ تغذیه مورد استفاده قرارمی گیرد فناوری Bulk-driven بطور عمده درطبقه ورودی تقویت کننده دیفرانسیلی و جریان آینه ای مورد استفاده قرارگرفته است دراین مقاله به بررسی طبقه ورودی برای یک تقویت کننده با تکنیک Gate-driven Bulk-driven درمقیاس نانو می پردازیم اولین مرحله از طراحی یک ریزتراشه نیاز به شبیه سازی مدارات طراحی شده داریم مدلهایمختلفی برای برنامه ای کاربردی شبیه سازی ارایه شده است شرکت های سازنده ترانزیستور نیز برای طراحان مدلهای ارایه داده اند استفاده از یک مدل مناسب به طراحاان مدارهای دیجیتال و آنالوگ این امکان را میدهد تا پیش از فرایندساخت درک مناسبی از رفتار مدارطرح شده داشته باشند.

Keywords:

مدلهای نانومتریک CMOS , تکنیک Gate driven Bulk-driven تقویت کننده تفاضلی