تحلیل و طراحی و مدلسازی دوبعدی ترانزیستور تونلی شاتکی با دی الکتریک TiO۲
Publish place: Kahroba، Vol: 9، Issue: 35
Publish Year: 1401
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 242
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_KHRBA-9-35_006
Index date: 9 July 2022
تحلیل و طراحی و مدلسازی دوبعدی ترانزیستور تونلی شاتکی با دی الکتریک TiO۲ abstract
در این مقاله طراحی و تحلیل و مدل سازی ترانزیستور تونلی شاتکی با استفاده از TiO۲ برای دی الکتریک گیت انجام شده است. وجود یک تونلینگ شاتکی در رابط کانال سورس و جریان درین به دلیل تونل سازی پیشرفته از یک باند شارژ به باند دیگر در ناحیه رابط تقاطع ها باعث بهبود قابل توجه ترانزیستور میشود. با این کار هدایت و در نتیجه میزان تونل زنی افزایش میابد.در نهایت باعث افزایش کارایی ترانزیستور میشود. مدل مورد استفاده در طراحی ترانزیستور بر مبنای پتانسیل سطح در امتداد کانال با استفاده از معادله پواسون دو بعدی با شرایط مرزی مناسب طراحی کوتاهترین فاصله بین سورس / کانال و جریان سورس درین استوار می باشد. با توجه به افزایش میزان تونل زنی، که این امر موجب کاهش جریان میشود، ترانزیستور پیشنهادی مدلی برای مکمل های فلزی اکسیدهای نیمه هادی و (CMOS) است که شبیه ساز این مدل را با سیلواکو انجام دادیم.
تحلیل و طراحی و مدلسازی دوبعدی ترانزیستور تونلی شاتکی با دی الکتریک TiO۲ Keywords:
تحلیل و طراحی و مدلسازی دوبعدی ترانزیستور تونلی شاتکی با دی الکتریک TiO۲ authors
پریسا سروی
کارشناسی ارشد برق الکترونیک دانشگاه پیام نور مرکز تهران شمال
حامد امین زاده
دانشیار دانشکده برق الکترونیک دانشگاه پیام نور مرکز تهران شمال
جواد جوادی مقدم
استادیار دانشکده برق الکترونیک دانشگاه پیام نور مرکز تهران شمال