طراحی مرجع ولتاژ شکاف انرژی (Bandgap Voltage References ) با اصلاح انحنای. مرتبه دوم در ولتاژهای پایین و در تکنولوژی استاندارد TSMC ۰.۱۸µm CMOS
Publish Year: 1401
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 143
This Paper With 16 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JNAECT-2-3_006
تاریخ نمایه سازی: 2 مهر 1401
Abstract:
مراجع ولتاژ یک بلوک اساسی در بسیاری از کاربردهای فرکانس رادیویی و mixed-signal ، برای مثال مبدل های داده، PLLها و مبدل های توان می باشد. پراستفاده ترین پیاده سازی CMOS برای مراجع ولتاژ به علت پیش بینی پذیری و وابستگی کم به ولتاژ تغذیه و دمای کاری، مدار شکاف انرژی است. در این مقاله، مراجع ولتاژ شکاف انرژی را مورد بررسی قرار می دهیم. توپولوژی های مربوط که معمولا برای پیاده سازی مراجع ولتاژ شکاف انرژی به کار گرفته می شوند، بحث و بررسی شده اند و محدودیت های این ساختارها مورد بحث قرار گرفته اند. در این مقاله در مورد مراجع ولتاژ شکاف انرژی با اصلاح انحنای مرتبه اول و اصلاح انحنای مرتبه دوم در ولتاژ و توان پایین بحث و بررسی شده است. برای تایید کار ما مراجع ولتاژ شکاف انرژی با استفاده از تکنولوژی استاندارد TSMC ۰.۱۸ μm CMOS طراحی شده اند و نتایج شبیه سازی با کارهای پیشین مقایسه گردیده اند.
Keywords:
مراجع ولتاژ شکاف انرژی , اصلاح انحنای مرتبه اول , اصلاح انحنای مرتبه دوم
Authors
میثم رضایی پور
کارشناسی ارشد مهندسی برق گرایش الکترونیک دانشکده علوم و تحقیقات دانشگاه ازاد اسلامی واحدگیلان ایران