Numerical Analysis of Ballistic Ultrathin Graphene Nanoribbon Field Effect Transistors
Publish place: 20th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 1,174
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE20_495
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
Abstract:
We have employed a self-consistent solution of openboundary Schrodinger equation based on the non-equilibrium Green’s function formalism coupled to Poisson’s equation inorder to investigate some important characteristics of graphene nanoribbon FETs. Our simulations enable us to compareparameters such as Ion, Ioff and on/off current ratios as well as subthreshold swing and gm in different channel widths and channel lengths. Our results indicate that given the ability to fabricate perfectly patterned few-nanometers wide GNRs, these devices may be able to outperform the current silicon FETs
Keywords:
Authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :