بهبود شیب زیر آستانه برای ترانزیستور اثر میدانی تونلی با استفاده از ساختار ناهمگون
Publish Year: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 657
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
AISC01_028
تاریخ نمایه سازی: 16 آبان 1401
Abstract:
استفاده از ساختار ناهمگون در ترانزیستور اثر میدانی تونلی موجب کاهش شیب زیر آستانه می شود. در این مقاله با استفاده از ساختار پیشنهادی سه لایه ناهمگون ژرمانیوم-سیلیسیم-ژرمانیوم در ترانزیستور اثر میدانی تونلی علاوه بر کاهش شیب زیر آستانه جریان تونلی در ولتاژ گیت صفر به صفر رسیده و کنترل گیت بر جریان تونلی کانال افزایش یافته است.
Keywords:
Authors
رامین نوری بیات
دانشجوی دکتری برق و الکترونیک دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان
عبداله عباسی
استادیار دانشگاه سمنان
علی اصغر اروجی
استاد دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان