Influence of Aluminum Concentration of Barrier on Noise Characteristics of Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMTs
Publish place: 5th Symposium on Advances in Science and Technology
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 2,436
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
SASTECH05_253
تاریخ نمایه سازی: 22 مرداد 1391
Abstract:
The noise characteristics of Composite-Channel AL0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT is calculated as a function of gate voltage as well as drain voltage. The noise curve versus drain voltage shows two regions. The first region is related to the triode region of the transistor where the noise decreases with increase of the drain voltage. The second region is related to the saturation region of the transistor where the noise is almost constant. The noise curve versus gate voltage also shows two regions. The first region is related to the saturation region of the transistor where the noise decreases with increase of the gate voltage. The second region is related to the triode region where the noise increases with increase of the gate voltage. Also minimum Noise Figure (NFmin) is calculated for different Aluminum mole fraction of barrier.It is shown that the minimum Noise Figure (NFmin) decreases when the Aluminum mole fraction increases.
Keywords:
Authors
Robab Madadi
Arak Azad University
Rahim Faez
Sharif University of technology
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :