بررسی سلول های خورشیدی بر پایه GaN
Publish place: Eighth international Conference on Knowledge and Technology of Mechanical, Electrical Engineering and Computer Of Iran
Publish Year: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 155
This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
DMECONF08_208
تاریخ نمایه سازی: 31 فروردین 1402
Abstract:
اکنون سلول های خورشیدی متنوعی در مراکز تحقیقاتی و صنعتی معرفی شده اند که دارای مزایا و معایب متفاوتی هستند. محدودیت های ترمودینامیکی، رسانایی حرارتی، ولتاژ شکست، بازدهی و طول عمر از خواص مهم یک سلول خورشیدی است که اکثر سلول ها در یک یا چند خاصیت ضعف دارند. در این میان سلول های خورشیدی گروه III-V به دلیل چند لایه شدن با گاف انرژی های متفاوت محدودیت ترمودینامیکی ندارد و به علت بالا بودن ولتاژ شکست و تغییر در گاف انرژی قابلیت جذب و تبدیل بیشتر طیف نور خورشید به الکتریسته را دارند. از طرفی با استفاده از فناوری نانولایه و نانوسیم بازدهی تا حد قال توجهی گزارش شده است.از انواع سلول های خورشیدی این گروه می توان سلول های خورشید بر پایه نیترید گالیم((GaN و گالیم آرسناید((GaAs اشاره نمود که با افزودن ایندیم((In، آلومنیوم((Al و فسفر((P به ترکیب آنها می توان گاف انرژی را به ترتیب کاهش یا افزایش داد. نیترید گالیم دارای گاف مستقیم-انرژی است به همین دلیل رسانایی حرارتی بالایی دارد.گاف انرژی این ماده ۳.۴ev است و جزء نیمه رساناهای با گاف انرژی عریض معرفی میشود.در این تحقیق سلول خورشیدی بر پایه GaN به عنوان یکی از جدیدترین نوع سلول خورشیدی نیز مورد تحقیق و بررسی قرار گرفته است.
Keywords:
Authors
شیرین احدی
گروه مهندسی برق، دانشگاه فنی و حرفه ای، لرستان، ایران