بررسی خواص الکترونیکی و مشخصه ی جریان بین لایه ای مواد دوبعدی نامتقارن MoSi۲PmAsn و MoSi۲AsmSbn

Publish Year: 1401
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 128

This Paper With 18 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_JME-20-71_004

تاریخ نمایه سازی: 17 اردیبهشت 1402

Abstract:

این مقاله به بررسی خواص ساختاری و الکترونیکی مواد دو بعدی نامتقارن MoSi۲PmAsn و MoSi۲AsmSbn با استفاده از نظریه تابع چگالی می پردازد. در ابتدا، پایداری ساختارها توسط پراکندگی فونون اثبات شده است. در ادامه، ساختار نوارهای انرژی مواد به دست آمده است که نشان می دهد به جز ساختار MoSi۲As۳Sb، بقیه ساختارها ماهیت نیمه هادی دارند. همچنین چگالی حالت های مبتنی بر اوربیتال نشان می دهد که نوار هدایت و ظرفیت همه ساختارها عمدتا از اوربیتال d اتم مولیبدن تشکیل شده است. به منظور اثبات وجود یک میدان الکتریکی عمودی ذاتی در این مواد، توزیع پتانسیل، توزیع بار و توابع کار در دو صفحه اتمی بالا و پایین ساختارها محاسبه و مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. در ادامه برای تنظیم خواص الکتریکی ساختارها، کرنش دومحوره داخل صفحه ای اعمال شده است. شکاف انرژی مواد در کرنش کوچکی به مقدار ماکزیمم خود می رسد، سپس در کرنش های بزرگتر کاهش یافته و در کرنش فشاری و کششی مشخصی به صفر می رسد و گذار از نیمه هادی به فلز روی می دهد. در انتها، ترابرد بین لایه ای در این مواد مورد مطالعه قرار گرفته است و جریان بین صفحه ای به دست آمده است. نتایج به دست آمده نشان می دهد که ترابرد بین لایه ای و در نتیجه میزان جریان عمودی به پیکربندی ساختار وابسته می باشد و در ساختار X۳Yبیشترین جریان به دست می آید. نتایج به دست آمده و عدم تقارن ناشی از میدان داخلی در مقادیر جریان مثبت و منفی اثبات می کند که این مواد گزینه های مناسبی برای استفاده در ادوات نانوالکترونیک و به ویژه یکسوسازها می باشند.

Keywords:

مواد دو بعدی , مواد نامتقارن , کرنش دومحوره صفحه ای , جریان بین لایه ای , نظریه تابع چگالی

Authors

نیره قبادی

گروه برق، دانشکده مهندسی، دانشگاه زنجان

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. Morozov, D. Jiang, ...
  • مهدیه نیری و مریم نیری، "طراحی و شبیه سازی مدار ...
  • مهناز ذاکری و امید افضل نژاد، "بررسی اثر زاویه کایرال ...
  • بهروز عبدی تهنه و علی نادری، "ساختار جدید ترانزیستور اثر ...
  • رضیه السادات حسینی المدواری، مریم نیری، سمیه فتوحی، "مطالعه خواص ...
  • S. Manzeli, D. Ovchinnikov, D. Pasquier, O. V. Yazyev, and ...
  • W. Choi, N. Choudhary, G. H. Han, J. Park, D. ...
  • B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, and A. ...
  • J. Guan, Z. Zhu, and D. Tománek, “Phase coexistence and ...
  • S. Zhang, Z. Yan, Y. Li, Z. Chen, and H. ...
  • G. W. Mudd, S. A. Svatek, T. Ren, A. Patanè, ...
  • H. Oughaddou, H. Enriquez, M. R. Tchalala, H. Yildirim, A. ...
  • A. Acun, L. Zhang, P. Bampoulis, M. V. Farmanbar, A. ...
  • Y. Gogotsi, and B. Anasori, “The rise of MXenes”, ACS Nano, Vol. ...
  • J. W. Jiang, Z. Qi, H. S. Park, and T. ...
  • K. K. Kam and B. A. Parkinson, “Detailed photocurrent spectroscopy ...
  • K. F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, and ...
  • B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, and A. ...
  • L. Liu, S. Kumar, Y. Ouyang, and J. Guo, “Performance ...
  • Y. Yoon, K. Ganapathi, and S. Salahuddin, “How good can ...
  • B. Radisavljevic, M. B. Whitwick, and A. Kis, “Integrated circuits ...
  • R. Li, R., Y. Cheng, and W. Huang, “Recent progress ...
  • M. Yagmurcukardes, Y. Qin, S. Ozen, M. Sayyad, F. M. ...
  • A. Y. Lu, H. Zhu, J. Xiao, C. P. Chuu, ...
  • J. Zhang, S. Jia, I. Kholmanov, L. Dong, D. Er, ...
  • L. Dong, J. Lou, and V. B. Shenoy, “Large in-plane ...
  • H. Cai, Y. Guo, H. Gao, and W. Guo, “Tribo-piezoelectricity ...
  • Z. Guan, S. Ni, and S. Hu, “Tunable electronic and ...
  • T. Hu, F. Jia, G. Zhao, J. Wu, A. Stroppa, ...
  • Y. Bai, Q. Zhang, N. Xu, K. Deng, and E. ...
  • S. B. Touski, and N. Ghobadi, “Structural, electrical, and Rashba ...
  • Y. L. Hong, Z. Liu, L. Wang, T. Zhou, W. ...
  • L. Wang, Y. Shi, M. Liu, A. Zhang, Y. L. ...
  • S. B. Touski, and N. Ghobadi, “Vertical strain-induced modification of ...
  • A. Bafekry, M. Faraji, D. M. Hoat, M. Shahrokhi, M. ...
  • B. Özdamar, G. Özbal, M. N. Çınar, K. Sevim, G. ...
  • H. Yao, C. Zhang, Q. Wang, J. Li, Y. Yu, ...
  • B. Mortazavi, B. Javvaji, F. Shojaei, T. Rabczuk, A. V. ...
  • Q. Li, W. Zhou, X. Wan, and J. Zhou, “Strain ...
  • S. D. Guo, Y. T. Zhu, W. Q. Mu, and ...
  • Q. Wu, L. Cao, Y. S. Ang, and L. K. ...
  • H. Zhong, W. Xiong, P. Lv, J. Yu, and S. ...
  • N. Ghobadi, M. Hosseini, and S. B. Touski, “Field-Effect Transistor ...
  • S. D. Guo, W. Q. Mu, Y. T. Zhu, R. ...
  • Y. Yu, J. Zhou, Z. Guo, and Z. Sun, “Novel ...
  • N. T. Binh, C. Q. Nguyen, T. V. Vu, and ...
  • S. D. Guo, Y. T. Zhu, W. Q. Mu, X. ...
  • B. Li, J. Geng, H. Ai, Y. Kong, H. Bai, ...
  • J. M. Soler, E. Artacho, J. D. Gale, A. Garcı́a, ...
  • J. P. Perdew, and A. Zunger, “Self-interaction correction to density-functional ...
  • W. Tang, E. Sanville, and G. Henkelman, “A grid-based Bader ...
  • S. Grimme, “Semiempirical GGA‐type density functional constructed with a long‐range ...
  • W. Zhou, J. Chen, Z. Yang, J. Liu, and F. ...
  • M.Y. Liu, L. Gong, Y. He, C. Cao, “Tuning Rashba ...
  • R. Frisenda, A. J. Molina-Mendoza, T. Mueller, A. Castellanos-Gomez, and ...
  • M. A. Abdelati, A. A. Maarouf, and M. M. Fadlallah. ...
  • نمایش کامل مراجع