مقایسه روشهای مختلف اندازه گیری عمق نفوذ و مقدار غلظت آلاینده در یک ویفر سیلیکون و پیشنهاد روش مناسب
Publish place: The 15th National Conference of Applied Researches in Electrical, Computer and Medical Engineering Sciences
Publish Year: 1402
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,224
This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ECMECONF15_059
تاریخ نمایه سازی: 16 خرداد 1402
Abstract:
اندازه گیری عمق نفوذ ناخالصی در نیمه رساناها برای محاسبه تمرکز حاملهای اکثریت و تعیین عمق پیوند اهمیت دارد. کسب اطلاعات از مشخصات مواد نیمه رسانا، پیش نیاز ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع است. پیش از ساخت قطعه، مشخصات الکتریکی، دمایی و نوری ماده نیمه رسانا دارای اهمیت است. پارامترهای پایه ای که علاقه مند به شناخت آنها هستیم عبارت اند از: نوع رسانایی، تمرکز حاملها، تحرک پذیری، مقاومت و طول عمر حاملهای بار الکتریکی. با اندازه گیری میزان عمق نفوذ در ویفر میتوانیم به این دسته از اطلاعات دسترسی پیدا کنیم .برای اندازه گیری میزان عمق نفوذ ناخالصی در ویفر سیلیکون روشهای مختلفی وجود دارد. در این مقاله ضمن بررسی مختصری در مورد انواع روشها و مقایسه آنها باهم به ارائه مناسب ترین روش اندازه گیری میپردازیم.
Keywords:
Authors
محمدحسین قزل ایاغ
دانشیار
محمدحسین صادقی
دانشجو کارشناسی ارشد