مقایسه روشهای مختلف اندازه گیری عمق نفوذ و مقدار غلظت آلاینده در یک ویفر سیلیکون و پیشنهاد روش مناسب

Publish Year: 1402
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,049

This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ECMECONF15_059

تاریخ نمایه سازی: 16 خرداد 1402

Abstract:

اندازه گیری عمق نفوذ ناخالصی در نیمه رساناها برای محاسبه تمرکز حاملهای اکثریت و تعیین عمق پیوند اهمیت دارد. کسب اطلاعات از مشخصات مواد نیمه رسانا، پیش نیاز ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع است. پیش از ساخت قطعه، مشخصات الکتریکی، دمایی و نوری ماده نیمه رسانا دارای اهمیت است. پارامترهای پایه ای که علاقه مند به شناخت آنها هستیم عبارت اند از: نوع رسانایی، تمرکز حاملها، تحرک پذیری، مقاومت و طول عمر حاملهای بار الکتریکی. با اندازه گیری میزان عمق نفوذ در ویفر میتوانیم به این دسته از اطلاعات دسترسی پیدا کنیم .برای اندازه گیری میزان عمق نفوذ ناخالصی در ویفر سیلیکون روشهای مختلفی وجود دارد. در این مقاله ضمن بررسی مختصری در مورد انواع روشها و مقایسه آنها باهم به ارائه مناسب ترین روش اندازه گیری میپردازیم.

Authors

محمدحسین صادقی

دانشجو کارشناسی ارشد