طراحی اسیلاتور حلقوی کنترل شونده با ولتاژ با توان پایین و گستره فرکانسی وسیع

در این مقاله یک نوسان ساز کنترل شونده با ولتاژ توان پایین، کم نویز با گستره فرکانسی وسیع ارائه شده که با فرکانسهای کاری فرستنده های IEEE ۸۰۲ .۱۱ b/g, Bluetooth, and Zigbee protocols مطابقت دارد. برای بهبود گستره فرکانسی و نویز فاز در سلول تاخیر این ساختار از طبقه معکوس کننده پوش-پول شبه دیفرانسیلی استفاده شده است. مدار ارائه شده در تکنولوژی TSMC ۰.۱۸ m CMOSبا سقف ولتاژ یک ولت پیاده سازی شده است. از تحلیلها به این نتیجه می رسیم که با افزایش قدرت تزویج، خطای فاز و نویز کاهش یافته و توان مصرفی افزایش مییابد. در ساختار پیش نهادی نویز فاز برابر ۱۲۳ dBc / Hz میباشد. همچنین ضریب شایستگی ۱۶۸ dBc / Hzنشان دهنده عملکرد مناسب این ساختار در مقایسه با ساختارهای موجود می باشد.

Keywords:

اسیلاتورها ی کنترل شونده با ولتاژ , اسیلاتورها حلقوی , نویز فاز , محدوده تنظیم