بررسی مشخصه های الکتریکی و تحلیل حساسیت در نانو ترانزیستور دو گیتی با سورس و درین فلزی و ماده کانال InAs به روش تابع گرین غیر تعادلی
Publish place: The Physics Society Of Iran، Vol: 22، Issue: 4
Publish Year: 1401
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 123
This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PSI-22-4_021
تاریخ نمایه سازی: 28 خرداد 1402
Abstract:
در این مقاله، مشخصه های الکتریکی ترانزیستور دو دروازه ای با منبع و درین فلزی و ماده کانال InAs در ابعاد نانو به روش تابع گرین غیر تعادلی مورد مطالعه و بررسی قرار گرفته است. از آنجا که کاهش ضخامت کانال موجب تغییر سطح انرژی زیر نوارها و در نتیجه افزایش شکاف انرژی می شود، هامیلتونی دو بعدی افزاره محاسبه و به کمک آن ساختار نواری افزاره با دقت یک لایه اتمی به روش تنگ بست با پایه sp۳d۵s* به دست آمده است. سپس به ازای ضخامت های مختلف، کانال جرم موثر حامل ها از ساختار نواری مربوطه در سه جهت محاسبه شده است. براساس نتایج به دست آمده، با کاهش ضخامت کانال جرم موثر نسبت به حالت تودهای افزایش مییابد. در ادامه، جریان افزاره به کمک تابع گرین غیر تعادلی محاسبه شده است. همچنین به کمک تحلیل آماری، حساسیت پارامترهای مهم الکتریکی نسبت به متغیرهای مهم ساختاری و فیزیکی به دست آمده است. با کاهش ضخامت کانال و افزایش ارتفاع موثر سد شاتکی در ولتاژ درین کوچک و دمای پایین، یک سد پتانسیل در داخل کانال و در امتداد مسیر حرکت حامل ها از سورس به درین برقرار می شود، که این امر موجب تونل زنی تشدید و ایجاد ناحیه مقاومت منفی در مشخصه الکتریکی افزاره می شود. اثر متغیرهای مهم بر تونل زنی تشدید در این افزاره به طور کامل مورد بررسی قرار گرفته است.
Keywords:
Authors
زهرا آهنگری
گروه الکترونیک، واحد یادگار امام خمینی(ره) شهرری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :