خواص ساختاری و الکترونیکی مواد دو بعدی Ge۴P۲ و Ge۴As۲ در حضور میدان الکتریکی
Publish Year: 1402
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 131
This Paper With 15 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNNA03_034
تاریخ نمایه سازی: 19 تیر 1402
Abstract:
در این مقاله، خواص ساختاری و الکترونیکی مواد دو بعدی با فرمول M۴X۲ (M=Ge, X=P,As) با ساختار لانه زنبوری برای اولین بار بررسی شده است. خواص ساختاری و الکترونیکی تک لایه های این گروه از مواد به صورت نظری با استفاده از روش های محاسباتی بررسی می شود. در ابتدا، در غیاب میدان الکتریکی خارجی خواص الکترونیکی تک لایه Ge۴P۲ و Ge۴As۲ محاسبه شده است سپس میدان الکترونیکی اعمال شده و تغییر شکاف انرژی در حضور میدان الکتریکی بررسی می شود. ساختار باند برای این مواد با تقارن نقطه ای به دست آمده است. در ادامه، چگالی حالت ها اطراف سطح فرمی برای پیدا کردن اوربیتال تاثیر گزار مطالعه شده است. تک لایه Ge۴P۲ ، Ge۴As۲ یک نیمه رسانا با شکاف انرژی پایین است.
Keywords:
مواد دو بعدی , چگالی الکترون , ناهمسانگردی , ساختار باند , خواص الکترونیکی , گرافن , پایداری دینامیکی , نظریه ی تابعی چگالی
Authors
فرناز سمواتی
کارشناس ارشد مهندسی برق (دستگاه های الکترونیکی میکرو و نانو) دانشگاه صنعتی همدان، همدان، ایران
شعیب بابایی توسکی
استادیار گروه مهندسی برق، گروه مهندسی برق، دانشگاه صنعتی همدان، همدان، ایران