طراحی نانو نوارهای فسفرن سیاه دارای خط نقص توسعه یافته جهت کاربرد در ژنراتورهای ترموالکتریکی
Publish place: 8th Clean Energy Conference
Publish Year: 1402
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 193
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CLEANENERGY08_035
تاریخ نمایه سازی: 27 تیر 1402
Abstract:
امروزه، ژنراتورهای ترموالکتریکی به عنوان مبدلهای انرژی پاکجهت تبدیل انرژی گرمایی تلفاتی به انرژی الکتریکی ، بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. در این مطالعه به کمک تئوری تابعی چگالی و به کارگیری روابط لاندائور، پارامترهای موثر در کارایی ترموالکتریکی نانو نوارهای فسفرن سیاه مورد محاسبه و ارزیابی قرار گرفته اند. نتایج نشان می دهند که با اضافه کردن خط نقص توسعه یافته می توان باندهایی در محدوده شکاف باند انرژی ایجاد کرد. این باندها می توانند خصوصیات ترموالکتریکی را به شدت تغییر دهند. در نیمه هادی های نوع p در کل محدوده دمایی مورد مطالعه و در نیمه هادی های نوع n در دماهای بالا، ضریب شایستگی ترموالکتریکی در ساختار شامل خط نقص توسعه یافته از ساختار بدون نقص بیشتر است . طبق نتایج به دست آمده، ضریب شایستگی ترموالکتریکی میانگین برای ماژول ترموالکتریکی شامل قطعات نیمه هادی نوع n و نوع p در ساختار با خط نقص توسعه یافته با بیش از ۳۰ درصد افزایش نسبت به ساختار بدون نقص به مقدار تقریبی ۴۴/۴ می رسد.
Keywords:
Authors
نرگس بهارلویی یانچشمه
کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه کاشان
حسین کرمی طاهری
استادیار، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه کاشان