مرجع جریان µA۱۰۰ با ضریب تغییرات دمایی پایین مبتنی بر ترکیب ترانزیستورهای زیرآستانه و اشباع
Publish place: Tabriz Journal of Electrical Engineering، Vol: 49، Issue: 4
Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 98
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_TJEE-49-4_024
تاریخ نمایه سازی: 27 تیر 1402
Abstract:
در این مقاله یک مرجع جریان با تکنیک ترکیب ساختار ترانزیستورهای اشباع و زیرآستانه ارائه می شود. در این کار ابتدا با هریک از این ساختارها جریان های PTAT و CTAT تولید و با یکدیگر ترکیب شد. سپس برای دستیابی به ضریب تغییرات دمایی پایین جریان های خروجی این دو ساختار با ضرایب مناسبی جمع گردید تا یک جریان مرجع برابر با µA۱۰۰ به دست آید. مدار پیشنهادی برای این مرجع جریان در تکنولوژی ۰.۱۸μm CMOS TSMC طراحی و جانمایی آن به ابعاد ۱۷۷.۴μm×۱۸۰.۵μm در نرم افزار Cadence رسم و مدار استخراج شده از آن شبیه سازی شد. نتایج شبیه سازی نشان دادند که این مرجع جریان در بازه دمایی ºC۴۰- تا ºC۱۲۰ برای حالت TT دارای ضریب تغییرات دمایی ppm/ºC۳.۶۸ می باشد. علاوه بر این، میانگین ضریب تغییرات دمایی آن برای ۱۰۰۰ بار تکرار مونت کارلو برابر ppm/ºC ۱۶.۳۸۴ است. همچنین نتایج شبیه سازی نشان داد که این مدار نسبت به تغییر یک ولتی ولتاژ تغذیه دارای حساسیت ۲.۹% می باشد. ولتاژ دو سر این مرجع جریان در ۹۸% مقدار نامی خود برابر mV۳۹۶ است. توان مصرفی این مدار در ولتاژ تغذیه V۸/۱ برابر ۳۹.۶۷µW است.
Keywords:
Authors
امین شیخی
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه زنجان
فرشاد گودرزی
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه زنجان
سیروس طوفان
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه زنجان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :