BIMS : ساختار توکار میانی حافظه برای بهبود حافظه های تغییر فاز چندسطحی
Publish place: Tabriz Journal of Electrical Engineering، Vol: 49، Issue: 3
Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 97
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_TJEE-49-3_038
تاریخ نمایه سازی: 27 تیر 1402
Abstract:
در این مقاله، روشی به نام ساختار توکار میانی حافظه (BIMS) را معرفی خواهیم کرد که باعث کاهش انرژی مصرفی و زمان دسترسی حافظه های اصلی ساخته شده با فناوری حافظه های تغییر فاز (PCM) خواهد شد. این روش از قابلیت افزاره های PCM که قادر هستند هم به صورت سلول تک سطحی (SLC) و هم چندسطحی (MLC) مورد استفاده قرار بگیرند، استفاده می کند. در این روش، داده ها به صورت پیش فرض در سلول هایی با قابلیت ذخیره سازی بیشتر از یک بیت ذخیره می شوند. اما مکانیزم داخلی این روش، سلول های صفحات فیزیکی بلا استفاده را به سلول های تک سطحی تبدیل می کند. با استفاده از این صفحات، لایه ای بین حافظه ی نهان پردازنده و صفحات اصلی به وجود می آورد که می تواند دستورات خواندن و نوشتن در حافظه را در مدت زمان کمتر و با انرژی کمتر پاسخ دهد. این لایه میانی، بسیاری از دسترسی ها به صفحات با افزاره های MLC را با جذب آن ها از بین می برد.
Keywords:
Authors
سید صابر نبوی لاریمی
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشکده فنی - دانشگاه تهران
مهدی کمال
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشکده فنی - دانشگاه تهران
علی افضلی کوشا
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشکده فنی - دانشگاه تهران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :