Design and Analysis of Quantum Dot Based Avalanche Photodiode with Intersubband Multiplication

Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: English
View: 74

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_TDMA-3-2_006

تاریخ نمایه سازی: 28 مرداد 1402

Abstract:

This article presents an avalanche photodiode with quantum dot layers in its active region which operates at ۱۰µm. Performance of this structure is based on intersubband impact ionization phenomenon in quantum dots. It requires lower energy threshold for the onset of avalanche phenomenon, hence it can work in lower operating voltages than bulks. In this paper, by presenting a theoretical approach for  intersubband transition rate and electron-electron interaction the photo-generated current was modeled and consequently the responsivity can be calculated.  Results show that peak responsivity at a voltage of ۱۴V is obtained about ۱.۹ A/W. Also the dark current is modeled and calculated at different temperatures and applied voltages.

Keywords:

Authors

Amir Yousefli

Department of Electrical Engineering Islamic Azad University, Ahar Branch Tabriz

Mahdi Zavvari

Department of Electrical Engineering, Urmia branch, Islamic Azad university, Urmia, Iran

Kambiz Abedi

Department of Electrical Engineering, Faculty of Electrical and Computer Engineering, Shahid Beheshti, University, G. C. ۱۹۸۳۹۶۳۱۱۳, Tehran, Iran.

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • J., Philips, P., Bhattacharya, S. W., Kennerly, D. W., Beekman, ...
  • A., Rogalski. " Infrared detectors: status and trends" prog. Quant.Elect., ...
  • A. M. Barnett, J. E. Lees, D. J. Bassford, J. ...
  • T., Nakata, I., Watanabe, K., Makita, and T., Torikai, “InAlAs ...
  • M., Zavvari, V., Ahmadi, A., Mir and E., Darabi," Quantum ...
  • J. C., Campbell, A. Madhuka, " Quantum – dot infrared ...
  • B., Kochman, A. D., Stiff-Roberts, S., Chakrabarti, J. D., Philiphs, ...
  • B.K., Ridley, " Quantum Process in Semiconductors ". Oxford, U. ...
  • L. D., Landau , E. M., Lifshitz," Quantum Mechanics-Non-Relativistic ", ...
  • X., Su, S., Chakrabarti, P., Bhattacharya, G., Ariyawansa, and. G. ...
  • K., Sugihara, E., Yagyu, and Y., Tokuda, " Numerical Analysis ...
  • نمایش کامل مراجع