A ۰.۸ V ۱۹۱.۹ nW DTMOS Current Mirror OTA in ۰.۱۸ μm CMOS Process
Publish place: Telecommunication devices، Vol: 2، Issue: 3
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: English
View: 38
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_TDMA-2-3_005
تاریخ نمایه سازی: 28 مرداد 1402
Abstract:
In this paper a low-noise low-power CMOS operational transconductance amplifier (OTA) using dynamic threshold voltage MOSFET (DTMOS) technique is presented. The OTA is designed and simulated using ۰.۱۸ µm CMOS technology. The performed simulation results show an input-referred noise of ۵۲۰.۲ nV/√Hz at ۱ mHz so reduces to ۱۱۵.۸ pV/√Hz at ۱ Hz, and a power consumption of ۱۹۱.۹ nW under ۵ pF loads. The dc open loop gain is ۵۳.۱۳ dB, a phase margin of ۵۰o and a unity gain-bandwidth (UGB) of ۵۷۲.۹ kHz while operating at ۰.۸ V supply voltage. The proposed OTA is suitable for low noise and low-power application such as medical application
Keywords:
Authors
Iman Khosrojerdi
Imam Reza International University
Amin Rezvani
Imam Reza International University
Reza Pourandoost
sadjad institute of higher education
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :