Design and Simulation of High Tuning range and High Quality factor MEMS Variable Capacitor in Standard CMOS Technology
Publish place: Telecommunication devices، Vol: 2، Issue: 3
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: English
View: 53
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_TDMA-2-3_002
تاریخ نمایه سازی: 28 مرداد 1402
Abstract:
This article is organized to represent the work specifications of micro electro mechanical gap-tuning capacitors and to increase the both of tuning range and quality factor, a three-plate capacitor which can be fabricated in standard ۰.۱۸ μm CMOS technology is designed and simulated. The simulation of the capacitor was done using the EM۳DS software and the simulation results show tuning range of ۱۰۰%, that is ۲ times higher than tuning range of the conventional parallel plate capacitor. The plates of this capacitor are designed by using the available metal layers in the TSMC ۰.۱۸ μm CMOS technology that have caused decreasing the series resistance and increasing the quality factor to ۳۰۰ in ۱ GHZ.
Keywords:
Authors
Mina Ashoori
Sadjad Institute of Higher Education , Mashhad , Iran.
Hooman Nobovati
Department of Electrical Engineering, Sadjad Institute of Higher Education , Mashhad , Iran.
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :