طراحی و ساخت ساختار فلز- اکسید- نیمه هادی به روش لایه نشانی الکتروشیمیایی

تولید پیوند فلز- عایق- نیمه هادی MOS  به روش فلزنشانی الکتروشیمیایی گزارش گردیده است. برای انجام کار ابتدا مفتولی از جنس نیکل- کروم  را در محیط های الکترولیت مناسب قرار داده و با اعمال ولتاژ، بترتیب لایه های نازک آلومینیوم و فلز روی بر سطح آن نشانده شد . در مرحله بعد لایه های حاصل در دمای ۴۰۰ درجه سانتیگراد در معرض هوا اکسید گردید تا لایه های اکسید آلومینیوم به عنوان عایق و اکسید روی به عنوان نیمه هادی تشکیل گردد. با بررسی منحنی آرنیوس ضمن تایید نیمه هادی بودن لایه اکسید روی فاصله ترازهای انرژی ناخالصی  از تراز هدایت آن ۱۸/۰ ولت به دست آمد. همچنین با بررسی منحنی C-V در خازن MOS حاصله، ضمن تایید تشکیل پیوند فلز- عایق- نیمه هادی، ولتاژ آستانه آن حدود ۷۵/۲ ولت بدست آمد. این فعالیت خصوصا نشاندن لایه هایی از مواد مختلف به عنوان روش نو قابل عرضه است.

Keywords:

پیوند MOS , لایه نشانی , الکتروشیمیایی , نیمه هادی