طراحی وشبیه سازی تقویت کننده کم نویز (LNA) کاملا مجتمع کم توان با تکنولوژی۰.۱۸ µm CMOS در فرکانس های ۹/۱ و ۹/۰ گیگا هرتز

دو پارامتر مهم که در طراحی تقویت کننده کم نویز( LNA) باید به آن توجه کرد توان مصرفی پائین و عدد نویز کم می باشد. از مشکلات دیگر طراحی می توان به چگونگی ایجاد مقاومت ۵۰ اهم پایدار در ورودی برای تطبیق امپدانس و هم زمان بالا بردن بهره نام برد. همچنین نحوه خطی سازی در محدوده وسیعی از فرکانس کاری، از مسائل مهمی است که باید به آن توجه کرد.  با استفاده از ساختار دژنراسیون سلفی در پروسه ۰.۱۸ µm CMOS  خواسته های مورد نظر تامین می­شود. مدار پیشنهادی در این مقاله، عدد نویز کمتر از ۲.۵db و توان مصرفی کمتر از ۴mw را در فرکانس ۹/۱ و عدد نویز کمتر از ۰.۷db و توان مصرفی کمتر از ۰.۹mw را در فرکانس ۹/۰ گیگاهرتز، تطبیق امپدانس ورودی و خروجی ۵۰ اهم و خطی­سازی مناسب در هر دو فرکانس را نتیجه می­دهد.

Keywords:

دژنراسیون سلفی , عدد نویز , نقطه برخورد مرتبه سوم (IIP۳)