درهم تنیدگی دمایی حالت های الکترون در نانوسیم راشبا ایندیم گالیم ارسناید - گالیم ارسناید

در این مقاله درهم تنیدگی دمایی حالت های اسپینی و فضایی الکترون در نانوسیم راشبا ایندیم گالیم ارسناید - گالیم ارسناید با بهره گیری از معیار منفیت، که یک معیار مناسب برای آنسامبل های آمیخته بوده و کار کردن با آن به مراتب راحت تر از معیارهای دیگر است، مورد بررسی قرار می گیرد. همچنین اثر تغییرات میدان مغناطیسی خارجی در میزان درهم تنیدگی و تغییرات پارامتر راشبا در میزان درهمتنیدگی نانوسیم ایندیم گالیم ارسناید / گالیم ارسناید مورد بررسی قرار می گیرد. محاسبات نشان می دهد که در هم تنیدگی در این سیستم، بجز در دمای صفر و بی نهایت، از بین نمی رود. همچنین نشان می دهیم که بیشینه در هم تنیدگی علاوه بر سرعت میل کردن در هم تنیدگی به سمت صفر، به شدت به میدان مغناطیسی خارجی و پارامتر راشبا وابسته است. این نتایج روشی برای کنترل میزان در هم تنیدگی میان درجات آزادی الکترون، که یک نیاز اساسی در پردازش اطلاعات کوانتومی است، در دسترس می گذارد.

Keywords:

نانوسیم , در هم تنیدگی , اثر راشبا , میدان مغناطیسی