A Novel CMOS Ripple Comparator Cell Using the Gate-Diffusion Input Technique
Publish place: majlesi Journal of Electrical Engineering، Vol: 3، Issue: 4
Publish Year: 1388
Type: Journal paper
Language: English
View: 134
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_MJEE-3-4_008
Index date: 30 October 2023
A Novel CMOS Ripple Comparator Cell Using the Gate-Diffusion Input Technique abstract
In this paper a new implementation of CMOS ripple comparator cell using the Gate-Diffusion Input (GDI) technique is presented. The proposed design using this technique allows for the reduction of power consumption, propagation delay, and the area of digital circuits while maintaining low complexity of logical design. The performance comparison with standard CMOS and GDI logic design techniques is presented. These methods are compared with respect to the number of devices, PDP, and power dissipation. Simulation results confirm that the proposed cell can work at low supply voltage and dissipates low power.
A Novel CMOS Ripple Comparator Cell Using the Gate-Diffusion Input Technique Keywords:
A Novel CMOS Ripple Comparator Cell Using the Gate-Diffusion Input Technique authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :