بررسی خواص مغناطیسی ریزساختارهای نانومتری گرافینی و نانوروبان های گرافینی زیگزاگ‎

کشف گرافین و ویژگی‎‎‎های استثنایی الکترونیکی و مغناطیسی آن توجه بسیاری از دانشمندان را به خود جلب کرده است. در‎ این میان، مشتقات گرافینی از جمله نانوروبان‎‎‎های گرافینی و ریزساختارهای نانومتری آن برای استفاده در صنایع اسپینترونیکی و نانوالکترونیکی مناسب هستند. مطالعات نظری نشان می‎‎‎دهند که مغناطش در این سیستم‎‎‎ها به دلایل مختلف مثل کاهش ابعاد یا در اثر بی‎‎‎نظمی و تهی‎‎‎جای‎‎‎ها ایجاد می‎‎‎شوند. با استفاده از مدل هابارد در تقریب میدان میانگین مغناطش در نانوریزساختارهای گرافینی ‎صفربعدی،‎ نانوروبان‎‎‎های گرافینی یک بعدی زیگزاگ بررسی شده است. در میان نانوریزساختارها شکل‎‎‎های مثلثی، پاپیونی و کورونن مطالعه شده‎‎‎اند‎‎ و در مورد این‎‎‎که چگونه شکل آنها و نا‎هما‎‎‎‎هنگی در تعداد اتم‎‎‎هایی که به هر زیرشبکه تعلق دارد، که منجر به ایجاد حالت‎‎‎های با انرژی صفر و در نتیجه مغناطش در این سیستم‎‎‎ها می‎‎‎شود، مطالعه شده است. در پایان با در نظر گرفتن مدل بی‎‎‎نظمی اندرسون به همراه مدل تنگابست نزدیکترین همسایگان و مدل هابارد میدان میانگین، اثر متقابل بی‎‎‎نظمی بر چگالی حالات نانوروبان گرافینی زیگزاگ بررسی شده است.

Keywords:

گرافین , مدل هابارد میدان میانگین , نانوروبان های گرافینی