تهیه و خواصفیلم نازک 12 CaCu Ti4O رشد داده شده بر روی سیلیکون پوشش داده شده با 3 LaNiO توسط فرآیند سل – ژل
Publish place: 16th Symposium of Crystallography and Mineralogy of Iran
Publish Year: 1387
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 881
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
SCMI16_019
Index date: 27 January 2013
تهیه و خواصفیلم نازک 12 CaCu Ti4O رشد داده شده بر روی سیلیکون پوشش داده شده با 3 LaNiO توسط فرآیند سل – ژل abstract
فیلم نازک CCTO بر روی زیر لایه سلیکونی پوشش داده شده با LNO توسط فرآیند سل – ژل تهیه شده بود .نمونه ی CCTO دارای ساختار پروسکایتی بدون هیچ گونه ناخالصی قابل توجهی می باشد . در مقایسه با فیلم های رشد داده شده روی پلاتین Pt فیلم نازک CCTO روی LNO جهت گیری ابتدایی 400 را نشان می دهد . این ممکن است به خاطر فعالیت های لایه ی کشت LNO در خلال رشد CCTO باشد ، که این مسئله نشان دهنده ی کاهش کمتر دی الکتریک فیلم نازک CCTO روی LNO از مقدار کاهش دی الکتریک بر روی پلاتین می باشد .پاسخ دی الکتریک فیلم نازک CCTO روی LNO می تواند توسط تاثیر رسانایی و نفوذ ارائه شده ی مدل آرامش دبای توصیف شود
تهیه و خواصفیلم نازک 12 CaCu Ti4O رشد داده شده بر روی سیلیکون پوشش داده شده با 3 LaNiO توسط فرآیند سل – ژل Keywords:
رسوبگیری پلی کریستالی.پروسکایت ها.ترکیبات تیتانیوم , مواد دی الکتریک
تهیه و خواصفیلم نازک 12 CaCu Ti4O رشد داده شده بر روی سیلیکون پوشش داده شده با 3 LaNiO توسط فرآیند سل – ژل authors
هادی محمدی
دانشگاه پیام نور سنقر – گروه شیمی
محسن حیدری
دانشگاه پیام نور سنقر – گروه شیمی
اعظم انتظاری هرسینی
دانشگاه پیام نور سنقر – گروه زمین شناس
حامد درخشی
دانشگاه پیام نور سنقر – گروه شیمی