مقایسه ساختار و مورفولوژی لایه های نازک Cu بر زیر لایه GaAsدر روش های الکتروانباشت و الکترولس

در این تحقیق لایه های نازک مس بر زیرلایه ی نیم رسانای گالیوم آرسناید نوع n به دو روش الکتروانباشت و الکترولس رشد داده شدند. لایه های الکتروانباشت شده با مد جریان ثابت از mA ۵ تاmA۳۰ و لایه های الکترولس شده در دماهای مختلف oC ۲۵، oC۷۷ تهیه شدند. ساختار و ریخت شناسی لایه ها به کمک دستگاه های XRD و SEM مورد بررسی قرار گرفت. سپس پارامتر زبری لایه های الکتروانباشت شده در جریان های مختلف انباشت و هم چنین زبری لایه های الکترولس شده در دماهای مختلف به کمک میکرسکوپ نیروی اتمی AFM مطالعه و با یکدیگر مقایسه می شوند.

مقایسه ساختار و مورفولوژی لایه های نازک Cu بر زیر لایه GaAsدر روش های الکتروانباشت و الکترولس Keywords:

الکتروانباشت , الکترولس , لایه نازک Cu , نانوساختار , XRD , AFM

Certificate
I'm the author of the paper

Export:

Link to this Paper:

https://civilica.com/doc/1809094

Document National Code:

JR_IJSSE-9-18_002

Index date: 1 November 2023

How to cite:

If you want to refer to this Paper in your research work, you can simply use the following phrase in the references section:

،1392،مقایسه ساختار و مورفولوژی لایه های نازک Cu بر زیر لایه GaAsدر روش های الکتروانباشت و الکترولس،https://civilica.com/doc/1809094

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این Paper اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: ()
برای بار دوم به بعد: ()
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.