تعیین پارامترهای مناسب فرآیند کندوپاش فلز مولیبدنیوم و بررسی اثر لایه ای نازک از آن، برروی گسیل الکترون ها از آرایه ی گسیل میدان متشکل از نانونوک-های سیلیکانی

بررسی برروی پارامترهای فشار عملیاتی و توان فرایند کندوپاش فلز مولیبدنیوم برروی مقاومت لایه ی نازک ایجاد شده برروی زیرلایه ی شیشه انجام گرفته و مقدار مناسب پارامترهای لایه نشانی تعیین شده اند.  آرایه ی نانونوک های سیلیکانی از پیش ساخته شده طی فرایندی چند مرحله ای، در محیط خلا قرار داده شده است و به منظور کاهش تابع کار گسیل کننده ها، لایه ای از فلز مولیبدنیوم به روش کند و پاش و بر اساس پارامترهای تعیین شده در مرحله ی قبل بر روی نوک ها نشانده شده است. مشخصات هندسی گسیل کننده ها به کمک تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) قبل و بعد از لایه نشانی مولیبدنیوم ارائه شده است. نشان داده شده است که استفاده از پوشش مولیبدنیومی امکان مشاهده ی پدید ه ی گسیل میدان را در ولتاژهای کمتر از ۱۰۰۰ ولت و در فواصل بین آند و کاتد بالای ۱ میکرومتر فراهم می آورد. منحنی جریان-ولتاژ گسیل الکترون ها در فشار کمتر از Torr۷-۱۰×۳ اندازه گیری و رسم شده است.

تعیین پارامترهای مناسب فرآیند کندوپاش فلز مولیبدنیوم و بررسی اثر لایه ای نازک از آن، برروی گسیل الکترون ها از آرایه ی گسیل میدان متشکل از نانونوک-های سیلیکانی Keywords:

کندوپاش , لایه نازک مولیبدن , آرایه ی نانونوک های سیلیکانی , اندازه گیری گسیل الکترونی