تقویت چرخش فارادی تنظیم پذیر با شدت عبور بالا در بلورمگنتوفوتونی شامل نیم رسانای ناهمسانگرد InAs
Publish place: Optoelectronic، Vol: 5، Issue: 2
Publish Year: 1402
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 48
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PHYS-5-2_009
تاریخ نمایه سازی: 15 آذر 1402
Abstract:
طیف عبوری و چرخش فارادی از ساختار بلور مگنتوفوتونی با آرایش متقارن (AB)m InAs (BA)m با استفاده از روش ماتریس انتقال ۴×۴ بررسی شده است. لایه های B, A مواد دی الکتریک معمولی و InAs نیم رسانای ناهمسانگرد به عنوان لایه ی نقص عمل می کند. در گاف باند فوتونی ساختار، دو مدنقص با چرخش فارادی در همان ناحیه ی فرکانسی مدهای نقص ظاهر می شوند. در این مقاله نشان داده شده که با تغییر پارامترهای ساختاری تعداد تناوب و ضخامت لایه ی نقص امکان طراحی ساختار برای تقویت چرخش فارادی با شدت عبور نسبتا بالا وجود دارد. اثر پارامترهای خارجی، شدت میدان مغناطیسی و زاویه ی موج تابشی در تقویت مقادیر چرخش فارادی و شدت عبوری مطالعه و بهینه شده اند. بیشترین چرخش فارادی با شدت عبور نسبتا بالا حاصل در این کار به مقدار o۲۳/۴۴- در زاویه ی تابشی o۲۰ بدست آمد. نتایج نشان می دهند مکان فرکانسی مدهای نقص در طیف عبوری و چرخش فارادی وابسته به راستای میدان تابشی و ضخامت لایه ی نقص و لی مستقل از تغییرات میدان مغناطیسی و تعداد تناوب ساختارند.
Keywords:
Authors
فاطمه مسلمی
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید مدنی آذربایجان، تبریز، ایران
معصومه نعمتی
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید مدنی آذربایجان، تبریز، ایران