القای مغناطیسی قابل تنظیم تک لایه ۱T-NiTe۲ از طریق الایش اتمی فلزات واسطه V ،Cr ،Mn و Fe
Publish place: Optoelectronic، Vol: 4، Issue: 2
Publish Year: 1401
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 47
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PHYS-4-2_007
تاریخ نمایه سازی: 15 آذر 1402
Abstract:
القای مغناطش در مواد دو بعدی دی کالکوژنید از پتانسیل های بالقوه این مواد در ساخت وسایل اسپینترونیکی می باشد.با بکارگیری محاسبات اصول اولیه و با استفاده از تکنیک دوپینگ فلزات واسطه ۳d به بررسی خاصیت مغناطیسی تک لایه دی کالکوژنید ۱T-NiTe۲ پرداخته شد.نتایج نشان می دهد که دوپینگ فلزات واسطه میانی V ،Cr ،Mn و Fe ساختار را مغناطیسی می کند. بیشترین و کمترین مقدار مغناطش القا شده بترتیب مربوط به اتم Cr و اتم Fe می باشد. اتم Cr با اتم های نیکل مجاور پوشش فرومغناطیس (FM) و با اتم های تلورید هیبرید انتی فرومغناطیس (AFM) برقرار می کنند. در حالی که اتم Fe با اتم های نیکل و تلورید مجاور هیبرید انتی فرومغناطیس دارند که باعث می شود مغناطش کمتری در ساختار ایجاد شود.
Keywords:
Authors
مجتبی غلامی
هیات علمی پیام نور
مهدی ابراهیمی سرائی
کارشناسی فیزیک هسته ای، دانشگاه گیلان
مهلا حسن پور
دانشجو، گروه فیزیک،دانشگاه پیام نور،تهران ،ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :