خواص مغناطیسی و الکترونی تک لایه ی دی کالکوژنید Pd۲S۴ تحت دوپینگ اتم های مجاور اتم سولفور

خواص مغناطیسی و الکترونی تک لایه ی Pd۲S۴ از طریق دوپینگ غیرفلزات NM(N,P,As,O,Se,F,Cl,Br) و با بکارگیری محاسبات اساسی اولیه انجام شد.نتایج نشان میدهد که غیرفلزاتی که دارای عدد فرد لایه ظرفیت هستند باعث مغناطیسی شدن ساختار می شود در حالی که غیرفلزات دارای عدد زوج در لایه ظرفیت خاصیت مغناطیسی درسیستم القا نمی کند.بیشترین مقدار مغناطش تولیده شده ناشی از دوپینگ اتم های گروه هفتم و بویژه اتم Br با مقدار۰.۸۱µB می باشد. در گروه پنجم،از بالا به پایین(افزایش دوره) مقدارجدایی اسپینی اوربیتال pکاهش پیدا می کند که کاهش مقدار مغناطش را به همرا دارد.در حالی که مقدار جدایی اسپینی اوربیتال P اتم های گروه هفتم با افزایش دوره زیاد می شود بنابراین مقدار مغناطش اتم های گروه هفتم از بالا به پایین جدول تناوبی زیاد می شود. در گروه هفتم برعکس گروه پنجم مغناطش اتم سولفور همسایه ی اول از اتم های غیرفلزات دوپینگی بیشتر است. یافته های به دست آمده در این کار می تواند اکتشاف آزمایشی را آغاز کند و کاربرد مغناظش غیر فلزات را در ابزارهای اسپینترونیک را گسترش دهد.

Keywords:

"دوپینگ غیرفلزات" , "دی کالکوژنید دو بعدی" , "Pd۲S۴"