تنظیم ضریب جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل نقص لایه گرافن
Publish place: Optoelectronic، Vol: 2، Issue: 1
Publish Year: 1396
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 161
This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_PHYS-2-1_001
Index date: 6 December 2023
تنظیم ضریب جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل نقص لایه گرافن abstract
امروزه نانوساختار های گرافن استعداد چشمگیری برای استفاده در کاربردهایاپتوالکترونیک غیرخطی مانند فیلترهای باندگذر باریک از خود نشان داده اند. در این مقاله، میزان جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل لایه های دی الکتریک Ta۲O۵ و SiO۲ و لایه گرافن به عنوان نقص ساختار که دارای خاصیت غیرخطی نوری است، از جنبه نظری بررسی شده است. به دلیل پذیرفتاری غیرخطی مرتبه سوم قوی گرافن، اثر اپتیکی کر یکی از اثرات غالب در ساختار مورد مطالعه است. نتایج مطالعات نظری حاکی از آن است که میزان جذب ساختار با تغییر دوره تناوب، قطبش، زاویه فرود و شدت نور فرودی تنظیم پذیر است. محاسبات نشان می دهد که در طول موج ۸۱۸ نانومتر می توان به دو مقدار جذب ۹۹/۰ و صفر به ترتیب در شدت های کمتر از و در شدت های بالاتر از دست یافت. بررسی نظری ساختار در ناحیه طول موج مرئی با روش ماتریس انتقال، TMM، انجام شده است.
تنظیم ضریب جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل نقص لایه گرافن Keywords:
تنظیم ضریب جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل نقص لایه گرافن authors
انسیه محبی
دانشجوی کارشناسی ارشد، فیزیک، دانشگاه الزهرا
نرگس انصاری
استادیار، گروه فیزیک، دانشگاه الزهرا
فاطمه شهشهانی
دانشیار، گروه فیزیک، دانشگاه الزهرا
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :