بررسی قطبش ماکروسکوپیک در نیمه هادی های آلومینیم نیترید،گالیم نیترید و آلومینیم گالیم نیترید و تاثیر میزان غلظت آلومینیم بر گاف نواری و قطبش ماکروسکوپیک در نیمه هادی آلومینیم گالیم نیترید

Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 56

This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_PHYS-1-2_006

تاریخ نمایه سازی: 15 آذر 1402

Abstract:

در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب های نیمه هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش پذیری خودبه خودی در راستای محور ۰۰۰۱ دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش پذیری و شدت آن برای نیمه هادی های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تاثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آلومینیوم در نیمه هادی سه گانه آلومینیوم گالیم نیترید از طریق نظریه تابعی چگالی در به کارگیری نرم افزار Win۲k و با رویکرد فاز بری انجام پذیرفت. نتایج حاصل از محاسبات نشان دهنده میزان بالای قطبش پذیری خودبه خودی و پیزوالکتریکی و در مجموع قطبش ماکروسکوپیک در این نیمه هادی های نیتریدی بود. محاسبه قطبش برای ترکیب سه تایی آلومینیوم گالیم نیترید با غلظت آلومینیوم در ترکیب به اندازه ۵/۳۷ و ۵/۱۲ درصد به منظور بررسی اثر غلظت آلومینیوم بر پارامترهای ذکر شده انجام گرفت. نتیجه این محاسبات نیز نشان داد که میزان قطبش در این آلیاژ سه تایی نیتریدی (AlxGa۱-xN) با افزایش میزان آلومینیوم در ترکیب افزایش می یابد. سهم زیادی از قطبش ماکروسکوپیک مربوط به قطبش خودبه خودی است، ضمن اینکه مقدار قطبش خودبه خودی با میزان غلظت کاتیون آلومینیوم در ترکیب، یک وابستگی غیرخطی دارد. همچنین محاسبات ساختار نواری ترکیبات نشان داد که در همگی آنها گاف نواری در راستای Γ و مستقیم است و با کاهش میزان غلظت آلومینیوم در ترکیب نیم رسانای AlxGa۱-xN، میزان آن کاهش می یابد.

Authors

سید علی هاشمی زاده عقدا

استادیار، فیزیک، دانشگاه پیام نور

طاهر شعبانی

کارشناسی ارشد، فیزیک، دانشگاه پیام نور

احمد یزدانی

دانشیار، فیزیک، دانشگاه تربیت مدرس

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • O. Ambacher, J. Phys. D ۳۱, (۱۹۸۸), ۲۶۵۳ ...
  • F. Bernardini and V. Fiorentini, Phys. Rev. B ۵۷, (۱۹۹۸), ...
  • F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B۵۶, ...
  • F. Bernardini and V. Fiorentini, Phys. Rev. B ۶۴, (۲۰۰۱), ...
  • O. Ambacher, J. Majewski, C. Miskys, A. Link, M. Hermann, ...
  • R.D. King-Smith and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B۴۷,(۱۹۹۳), ۱۶۵۱ ...
  • R. Resta, Rev. Mod. Phys. ۶۶, (۱۹۹۴), ۸۹۹ ...
  • P. Blaha, K. Schwarz, G. Madsen, D. Kvasnicka, J. Luitz, ...
  • J. Kuneˇs, Ph. Wissgott, userguide WIEN۲WANNIER: From linearized augmented plane ...
  • H.J. Monkhorst and J.D. Pack, Phys. Rev. B ۱۳,(۱۹۷۶),۵۱۸۸ ...
  • R. Resta, Ferroelectrics. (۱۹۹۶). ۱۳۶, ۵۱ ...
  • A. Malashevich, Abstract of dissertation, New Brunswick, New Jersey, The ...
  • O. Ambacher, J. Phys. D: Appl. Phys. ۳۱, (۱۹۹۸), ۲۶۵۳ ...
  • O. Ambacher, J. Smart, J.R. Shealy, N.G. Weimann, K.Chu, M. ...
  • F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B۶۳, ...
  • Mánuel, J.M. et al. Structural and compositional homogeneity of InAlN ...
  • Morales, F.M. et al. Determination of the composition of InxGa۱−xN ...
  • D. Carvalho, K. Müller-Caspary, M. Schowalter, T. Grieb, T. Mehrtens, ...
  • I. Supryadkina, K. Abgaryan, D. Bazhanov, I. Mutigullin “AB initio ...
  • نمایش کامل مراجع