سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

Login
PapersConferencesJournals

بررسی پایداری سوسپانسیون نانوذرات کاربید سیلیسیم و پوشش دهی آن بر رویکامپوزیت کربن کربن به روش رسوب دهی الکتروفورتیک

Publish place: 10th Iranian Ceramic Congress
Publish Year: 1394
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 193

This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download

DOWNLOAD Paper

Export:

Link to this Paper:
https://civilica.com/doc/1901999

Document National Code:

ICC10_058

Index date: 4 February 2024

بررسی پایداری سوسپانسیون نانوذرات کاربید سیلیسیم و پوشش دهی آن بر رویکامپوزیت کربن کربن به روش رسوب دهی الکتروفورتیک abstract

اعمال پوشش های مقاوم به اکسیداسیون راه حل مناسبی برای حفاظت مواد کربنی در دماهای بالاست. پوشش کاربید سیلیسیم SiC بهعنوان یکی از بهترین پوشش ها برای حفاظت از این مواد است. یکی از روش های پوشش دهی نانوذرات، روش رسوب دهی الکتروفورتیک EPD است. در این فرآیند، ذرات باردارشده که در محیط مایع پراکنده شده اند در حضور میدان الکتریکی بر روی یک زیرلایه ی رسانا با بار مخالف جذب می شوند هدف از این پژوهش بررسی پایداری سوسپانسیون حاصل از نانوذرات کاربید سیلیسیم در حلال های الکلی و پوشش دهی آن برروی کامپوزیت کربن کربن به روش رسوب دهی الکتروفورتیک می باشد. بدین منظور سوسپانسیون های مختلف در حلال های اتانول، متانول و ایزوپروپانول، بدون پراکنده ساز و همچنین در حضور پراکنده ساز پلیمری پلی اتیلن ایمین PEI تهیه شدند. پایداری سوسپانسیون های حاصل توسط تصاویر تهیه شده پس از گذشت ۲۲ ساعت و اندازه گیری مقادیر پتانسیل زتا و توزیعاندازه ذرات سوسپانسیون مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد که سوسپانسیون حاصل از نانوذرات کاربید سیلیسیم در اتانول، در PH=۱۰ و در حضور ۶ درصد وزنی PEI پایداری بهتری دارد. در ادامه پوشش مورد نظر در ولتاژهای ۲۰،۳۰،۴۰،۵۰ ولت و زمان ۲ دقیقه از سوسپانسیون بهینه بر روی زیر لایه اعمال شد. کیفیت و ضخامت پوشش اعمال شده به وسیله میکروسکوپ الکترونی روبشی SEM مورد بررسی قرار گرفت. پوشش اعمال شده توسط این سوسپانسیون در ولتاژ ۳۰ ولت کیفیت بهتری داشته و دارای سطح یکنواخت و بدون حفره میباشد. همچنین مشاهده شد که با افزایش ولتاژ تا ۴۰ ولت ضخامت پوششافزایش و در ولتاژهای بالاتر مقدار آن کاهش می یابد

بررسی پایداری سوسپانسیون نانوذرات کاربید سیلیسیم و پوشش دهی آن بر رویکامپوزیت کربن کربن به روش رسوب دهی الکتروفورتیک Keywords:

بررسی پایداری سوسپانسیون نانوذرات کاربید سیلیسیم و پوشش دهی آن بر رویکامپوزیت کربن کربن به روش رسوب دهی الکتروفورتیک authors

علی گلشنی

دانشجوی کارشناسی ارشد گروه مهندسی مواد، دانشکده فنی مهندسی مکانیک، دانشگاه تبریز

محمدحسین جعفرپور

دانشجوی کارشناسی ارشد گروه مهندسی مواد، دانشکده فنی مهندسی مکانیک، دانشگاه تبریز

حسین آقاجانی

استادیار گروه مهندسی مواد، دانشکده فنی مهندسی مکانیک، دانشگاه تبریز

سهند بهرنگی

دانشجوی کارشناسی ارشد گروه مهندسی مواد، دانشکده فنی مهندسی مکانیک، دانشگاه تبریز

مقاله فارسی "بررسی پایداری سوسپانسیون نانوذرات کاربید سیلیسیم و پوشش دهی آن بر رویکامپوزیت کربن کربن به روش رسوب دهی الکتروفورتیک" توسط علی گلشنی، دانشجوی کارشناسی ارشد گروه مهندسی مواد، دانشکده فنی مهندسی مکانیک، دانشگاه تبریز؛ محمدحسین جعفرپور، دانشجوی کارشناسی ارشد گروه مهندسی مواد، دانشکده فنی مهندسی مکانیک، دانشگاه تبریز؛ حسین آقاجانی، استادیار گروه مهندسی مواد، دانشکده فنی مهندسی مکانیک، دانشگاه تبریز؛ سهند بهرنگی، دانشجوی کارشناسی ارشد گروه مهندسی مواد، دانشکده فنی مهندسی مکانیک، دانشگاه تبریز نوشته شده و در سال 1394 پس از تایید کمیته علمی دهمین کنگره سرامیک ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله رسوب دهی الکتروفورتیک، نانوذرات SiC، کامپوزیت کربن کربن، پایداری سوسپانسیون، اندازه ذرات هستند. این مقاله در تاریخ 15 بهمن 1402 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 193 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که اعمال پوشش های مقاوم به اکسیداسیون راه حل مناسبی برای حفاظت مواد کربنی در دماهای بالاست. پوشش کاربید سیلیسیم SiC بهعنوان یکی از بهترین پوشش ها برای حفاظت از این مواد است. یکی از روش های پوشش دهی نانوذرات، روش رسوب دهی الکتروفورتیک EPD است. در این فرآیند، ذرات باردارشده که در محیط مایع پراکنده شده اند در حضور میدان ... . برای دانلود فایل کامل مقاله بررسی پایداری سوسپانسیون نانوذرات کاربید سیلیسیم و پوشش دهی آن بر رویکامپوزیت کربن کربن به روش رسوب دهی الکتروفورتیک با 11 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.