بررسی و مقایسه ترانزیستور FET (Mosfet)نسبت به ترانزیستور bjt
Publish place: The 16th National Conference on Applied Research in Electrical, Computer and Medical Engineering Sciences
Publish Year: 1402
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 413
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ECMECONF16_033
Index date: 7 February 2024
بررسی و مقایسه ترانزیستور FET (Mosfet)نسبت به ترانزیستور bjt abstract
اولین ترانزیستور در سال ۱۹۵۰ عرضه شد و می توان آن را به عنوان یکی از مهم ترین اختراعات قرن بیستم در نظر گرفت. این المان نیمه هادی به سرعت در حال توسعه است و تا امروز انواع مختلفی از ترانزیستورها معرفی شده است. ترانزیستور می توان با اعمال تغییر در یک سیگنال کوچک به عنوان ورودی، تغییراتی در یک سیگنال بسیار بزرگتر به عنوان خروجی را انجام داد. ترانزیستورهای ماسفت و بی جی تی هر دو جزو قطعات نیمه هادی الکترونیکی هستند.که می توانند . به عنوان کلید یا تقویت کننده در مدارات الکترونیک استفاده می شود. اولین نوع ترانزیستور BJT (ترانزیستور پیوند دو قطبی) است و ماسفت (ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز) نوع دیگری از ترانزیستور است. در این مقاله به بررسی مقایسه اصلی بین ترانزیستور بی جی تی (BJT) و ترانزیستور (MOSFET) می پردازیم.
بررسی و مقایسه ترانزیستور FET (Mosfet)نسبت به ترانزیستور bjt Keywords:
بررسی و مقایسه ترانزیستور FET (Mosfet)نسبت به ترانزیستور bjt authors
علیرضا نصرآبادیان
۱-هیئت علمی دانشگاه فنی و حرفه ای تهران -ایران
علی حسینجانی گورکانی
۲-دانشجوی کارشناسی دانشگاه فنی حرفه ای تهران -ایران