طراحی منبع جریان با استفاده از تقویت کننده عملیاتی کلاس AB در فن آوری ۱۸۰ نانومتر سی ماس
Publish place: The 7th National Conference of Applied Researches in Electrical, Mechanical and Mechatronics Engineering
Publish Year: 1402
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 121
This Paper With 14 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF07_185
تاریخ نمایه سازی: 5 اسفند 1402
Abstract:
منابع جریان کاربردهای وسیعی در مدارهای مجتمع آنالوگ و مد مختلط دارند. هدف از انجام این مقاله، بررسی تعدادی از ساختارهای منابع جریان سی ماس و سپس طراحی یک منبع جریان جدید است. طراحی مدار آینه جریان پیشنهادی به نحوی انجام می شود که مقاومت خروجی بالا و ولتاژپذیری مناسبی داشته باشد. در طراحی مدار پیشنهادی از تقویت کننده عملیاتی کلاس AB استفاده می شود. علاوه براین، پیاده سازی مدار پیشنهادی توسط ترانزیستورهای ماسفت انجام می شود. طراحی مدار آینه جریان در فناوری ۱۸۰ نانومتر و با ولتاژ تغذیه ۸/۱ ولت انجام می گردد. ساختار پیشنهادی با تعدادی از ساختارهای متداول مقایسه می شود و نتایج شبیه سازی توسط نرم افزار Cadence در تعدادی از گوشه های دمایی و فناوری ساخت ارائه می گردد.
Keywords:
Authors
فاران آریانی
۱ گروه مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساری، ساری، ایران
محمدرضا هدایتی
۲ گروه مهندسی برق، موسسه آموزش عالی هدف، ساری، ایران
محمدحسین مقامی
۳ گروه مهندسی برق، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجائی، تهران، ایران
محسن نیک پور
۴ گروه مهندسی برق و مهندسی پزشکی، موسسه آموزش صنعتی مازندران، بابل، ایران
سید محمود انیشه
۲ گروه مهندسی برق، موسسه آموزش عالی هدف، ساری، ایران