Novel Drain Recessed Oxide SOI-MOSFET For Reduction of Short-Channel-Effects
Publish place: Computational Sciences and Engineering، Vol: 2، Issue: 2
Publish Year: 1401
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: English
View: 55
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_CSE-2-2_008
تاریخ نمایه سازی: 5 اسفند 1402
Abstract:
Since the device performance is degraded with the elapsed time, it is essential to develop the novel device for enhancing the reliability. Hence, a modification inside the drain region of the SOI-MOSFET structure has been performed. A region oxide has been recessed in the drain in order to modify the electric field owing to dielectric permittivity change. The simulation results obtained by SILVACO showed the improvement of the short-channel effects in the terms of drain-induced barrier lowering, hot-carrier effects and threshold voltage fluctuation as compared to the conventional structure.
Keywords:
Authors
Mohammad Kazem Anvarifard
Department of Engineering Sciences, Faculty of Technology and Engineering, East of Guilan, University of Guilan, Rudsar-Vajargah, Iran.
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :