یک تقویت کننده کم نویز تفاضلی فراپهن باند با اتصال خازنی

Publish Year: 1402
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 27

This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_MSTJ-27-108_003

تاریخ نمایه سازی: 7 اسفند 1402

Abstract:

در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز فراپهن باند در محدوده فرکانسی ۱/۳ تا ۶/۱۰ گیگا هرتز ارائه شده است. ساختار این مدار به صورت تفاضلی و گیت مشترک تعریف شده و فناوری مورداستفاده در طراحی این تقویت کننده است. ولتاژ تغذیه مدار ۸/۱ ولت و توان مصرفی آن ۱۱ میلی وات است. تقویت کننده در محدوده تعریف شده از پایداری مناسبی برخوردار است، حداکثر مقدار بهره به دست آمده برابر ۱۵ دسی بل و حداقل آن برابر با ۱۳ دسی بل است و در سراسر محدوده فرکانسی عملکرد، بهره همواری وجود دارد. حداکثر مقدار عدد نویز در سراسر محدوده فرکانسی کمتر از ۴ دسی بل، ضریب بازگشت ورودی کم تر از ۱۰- دسی بل و ضریب بازگشت خروجی کم تر از ۸- دسی بل است، تکنیک مورداستفاده در مدار پیشنهادی، استفاده از اتصال خازنی در ساختار متداول مدارهای فراپهن باند است که باعث گردید عدد نویز و بهره مدار در کل گستره فرکانسی بهبود یابد.

Keywords:

واژه های کلیدی: تقویت کننده کم نویز فراپهن باند , عدد نویز , ضریب بازگشت ورودی , ضریب بازگشت خروجی

Authors

احسان مرادی

مربی دانشگاه علوم دریایی امام خمینی (ره)

رضا مرادپور

عضو هیئت علمی دانشگاه علوم دریایی امام خمینی (ره)

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • H. R. Kooshkaki and P. P. Mercier, "A ۳۶mu W ...
  • A. Alhamed, O. Kazan, G. Gültepe, and G. M. Rebeiz, ...
  • R. Bagheri et al., "An ۸۰۰-MHz–۶-GHz software-defined wireless receiver in ...
  • CMOS," IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. ۴۱, no. ۱۲, ...
  • S. Zhang et al., "Robust GaN-based LNAs with active epitaxial ...
  • F. Bruccoleri, E. A. Klumperink, and B. Nauta, "Wide-band CMOS ...
  • P. Orlando et al., "X-Band receiver front-end in fully depleted ...
  • H. Knapp, D. Zoschg, T. Meister, K. Aufinger, S. Boguth, ...
  • S. Andersson, C. Svenson, and O. Drugge, "Wideband LNA for ...
  • R. Gharpurey, "A broadband low-noise front-end amplifier for ultra wideband ...
  • C.-W. Kim, M.-S. Kang, P. T. Anh, H.-T. Kim, and ...
  • R.-M. Weng, C.-Y. Liu, and P.-C. Lin, "A low-power full-band ...
  • J.-Y. Lee, H.-K. Park, H.-J. Chang, and T.-Y. Yun, "Low-power ...
  • W. Zhuo et al., "A capacitor cross-coupled common-gate low-noise amplifier," ...
  • W. Zhuo, S. Embabi, J. P. de Gyvez, and E. ...
  • C.-Y. Wu, Y.-K. Lo, and M.-C. Chen, "A ۳–۱۰ GHz ...
  • A. M. El-Gabaly and C. E. Saavedra, "Broadband low-noise amplifier ...
  • M.-C. Kuo, C.-N. Kuo, and T.-C. Chueh, "Wideband LNA compatible ...
  • H. Zhang, X. Fan, and E. S. Sinencio, "A low-power, ...
  • H. Alavi-Rad, S. Ziabakhsh, S. Ziabakhsh, and M. Yagoub, "A ...
  • نمایش کامل مراجع