بررسی عملکرد لایه دوتایی WN/W با ساختار نامنظم بعنوان لایه مانع نفوذ Cu در Si
Publish Year: 1403
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 22
This Paper With 14 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JMME-35-1_005
تاریخ نمایه سازی: 27 فروردین 1403
Abstract:
لایه تنگستن/ نیترید تنگستن با ساختار نامنظم به روش تبخیرگرمایی روی زیرلایه اکسید سیلیکون/ سیلیکون انباشت شد. بررسی پایداری گرمایی این لایه دوتایی در دماهای مختلف از طریق پراش اشعه ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی و پراب چهار نقطه ای انجام شد. بر اساس نتایج پراش اشعه ایکس، تشکیل فاز سیلیسید مس در دمای ۸۰۰ درجه سانتیگراد، نشان دهنده نفوذ مس از درون لایه تنگستن/ نیترید تنگستن است. تشکیل فاز عایق سیلیسید مس، افزایش ناگهانی مقاومت الکتریکی (۲۱۲ اهم / سانتیمترمربع) را در پی داشت که نشان دهنده مختل شدن کارایی لایه مانع نفوذ تنگستن/ نیترید تنگستن می باشد. نفوذ مس در سیلیکون، اغلب از طریق مرزدانه های ناخواسته ای است که در مراحل گرمادهی لایه تنگستن/ نیترید تنگستن با تغییر ساختار لایه مانع نفوذ از فاز نامنظم به بس بلوری رخ داده است و در نتایج پراش اشعه ایکس به خوبی نشان داده شده است. در دماهای بالا، تصویر میکروسکوپ الکترونی، شکستگی، ترک و پوسته شدن سطح لایه مس را نشان داده است که به دلیل ایجاد استرس گرمایی در بین سطوح مانع نفوذ/ مس و یا حجم لایه ها بوجود می آید.
Keywords:
Authors
سمیه عسگری
دانشکده فیزیک، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد تهران غرب، تهران، ایران
امیر هوشنگ زمضانی
دانشکده فیزیک، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد تهران غرب، تهران، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
