مقاله پووهشی: بررسی تاثیرات دمایی بر روی نیروی کاسیمیر جاذبه و دافعه در یک میکروسیستم ساخته شده از عایق های توپولوژیک
Publish place: Iranian Journal of Applied Physics، Vol: 14، Issue: 2
Publish Year: 1403
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 136
This Paper With 18 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_JAPAZ-14-2_008
Index date: 17 April 2024
مقاله پووهشی: بررسی تاثیرات دمایی بر روی نیروی کاسیمیر جاذبه و دافعه در یک میکروسیستم ساخته شده از عایق های توپولوژیک abstract
در این مطالعه حساسیت نیروی کاسیمیر نسبت به افتوخیزهای دمایی میان دو صفحه از جنس عایق توپولوژیک با در نظرگرفتن اعمال مغناطش های ضعیف و قوی روی سطح دو صفحه با استفاده از نظریه لیفشیتز بررسی شده است. افتوخیزهای دمایی میان دو صفحه از جنس عایق توپولوژیک در خلاء منجر به برهمکنش های از نوع جاذبه می شوند. حال با اعمال مغناطش ضعیف مشاهده شده است، با افزایش فاصله بین صفحات تاثیر افتوخیزهای دمایی بر روی نیرو، از اثر مغناطش و مگنتوالکتریک بیشتر بوده و منجر به قدرت گرفتن نیروی کاسیمیر جاذبه می شود. همچنین با اعمال مغناطش های بزرگ مشاهده می شود، اثرات دمایی نمی توانند تغییری بر روی نیروی کاسیمیر جاذبه و دافعه ایجاد کنند و عامل مشخص کننده قدرت و جهت نیرو، اثر مگنتوالکتریک و جهت مغناطش اعمالی دو صفحه نسبت به هم است. در بازه مغناطش های کوچک اثرات دمایی بر روی نیروی کاسیمیر دافعه تاثیر قابل توجهی دارند. همچنین، مشاهده شد که در دمای بالاتر با اعمال مغناطش پادموازی روی صفحات اندرکنش دافعه به سرعت ضعیف شده و در فواصل بزرگ تر سهم نیروی دافعه به صفر میل می کند.
مقاله پووهشی: بررسی تاثیرات دمایی بر روی نیروی کاسیمیر جاذبه و دافعه در یک میکروسیستم ساخته شده از عایق های توپولوژیک Keywords:
مقاله پووهشی: بررسی تاثیرات دمایی بر روی نیروی کاسیمیر جاذبه و دافعه در یک میکروسیستم ساخته شده از عایق های توپولوژیک authors
زهرا نصیری
دانشجوی کارشناسی ارشد، گروه فیزیک ماده چگال، دانشکده فیزیک، دانشگاه الزهرا، تهران، ایران
مطهره عالی
دانش آموخته کارشناسی ارشد، گروه فیزیک ماده چگال، دانشکده فیزیک، دانشگاه الزهرا، تهران، ایران
فاطمه تاجیک
استادیار، گروه ماده چگال، دانشکده فیزیک، دانشگاه الزهرا، تهران، ایران
