سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

بررسی تاثیر محلول هیدروکسید پتاسیم و ایزوپروپیل الکل بر بافتدهی سطحی سیلیکون و رفتار آبدوستی آن

Publish Year: 1399
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 53

This Paper With 16 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

JR_CHEM-15-54_016

Index date: 16 September 2024

بررسی تاثیر محلول هیدروکسید پتاسیم و ایزوپروپیل الکل بر بافتدهی سطحی سیلیکون و رفتار آبدوستی آن abstract

در این مقاله ساختارهای میکرومتری هرمی شکلی بر روی بستر سیلیکونی تکبلوری با کمک زدایش ناهمسانگرد در محلول هیدروکسید پتاسیم (KOH) و افزودنی ایزوپروپیل الکل ایجاد شدهاند و تاثیر پارامترهای مختلف همچون غلظتهای KOH و IPA و دما بر ایجاد این ساختارها مورد مطالعه قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان میدهند که با افزایش غلظت KOH و IPA و همچنین با افزایش دما، ابعاد ساختارهای هرمی شکل افزایش یافته و توزیع آنها غیریکنواختی بیشتری پیدا میکند. ایجاد تخلخل بر روی بستر سیلیکونی، قبل از فرآیند زدایش با محلول هیدروکسید پتاسیم، میتواند به افزایش یکنواختی ساختارهای ایجاد شده کمک کند. در این مقاله برای اولین بار تاثیر تخلخلهای ایجاد شده با روش زدایش شیمیایی با کمک فلز نقره، بر شکلگیری میکروهرمهای سیلیکونی بررسی گردیده است. بعلاوه، اعمال فرآیند حرارتی بر ماسک نقرهی شکل گرفته بر بستر سیلیکونی در پروسه MACE، قبل از زدایش نیز باعث یکنواختی و کوچکتر شدن ساختارهای هرمی شکل میشود. برای مطالعه ساختارهای ایجاد شده از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی استفاده شده است. بعلاوه، رفتار آبدوستی ساختارهای هرمی ایجاد شده نیز مورد مطالعه قرار گرفته است. نتایج حاصل از آزمون زاویهی تماس نشان میدهند که با افزایش یکنواختی ابعاد و توزیع ساختارهای هرمی ایجاد شده، آبدوستی سطح بیشتر می شود.

بررسی تاثیر محلول هیدروکسید پتاسیم و ایزوپروپیل الکل بر بافتدهی سطحی سیلیکون و رفتار آبدوستی آن Keywords:

بررسی تاثیر محلول هیدروکسید پتاسیم و ایزوپروپیل الکل بر بافتدهی سطحی سیلیکون و رفتار آبدوستی آن authors

مرتضی مالکی

دانشکده فنی، دانشگاه شهید باهنر کرمان، کرمان، ایران

محسن کاظمی ارجاس

دانشکده فنی، دانشگاه شهید باهنر کرمان، کرمان، ایران

مهدیه مهران

دانشکده فنی، دانشگاه شهید باهنر کرمان، کرمان، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
Z. Xi, D. Yang, W. Dan, C. Jun, X. Li, ...
M. Lipinski and J. Cichoszewski, in Proceedings of the ۲۳rd ...
C. Amri, R. Ouertani, A. Hamdi, and H. Ezzaouia, Materials ...
H. Han, Z. Huang, and W. Lee, Nano Today, ۹ ...
U. Kaiser, M. Kaiser, and R. Schindler, in Tenth EC ...
F. Konstantinou, A. Shougee, T. Albrecht, and K. Fobelets, Journal ...
R. Martha and H. Nagaraja, Materials Characterization, ۱۲۹ (۲۰۱۷) ۲۴ ...
S. Zafar, C. D’Emic, A. Afzali, B. Fletcher, Y. Zhu, ...
J. W. Leem, B. Dudem, and J. S. Yu, RSC ...
R. Somayeh, E. Mohammad, H. Z. Mohadese, J. Of Applied ...
T. Zahra, N. Leila, K. Shole, J. Of Applied Chemistry, ...
F. Llopis and I. Tobías, Progress in Photovoltaics: Research and ...
S. H. Ko et al., Nano letters, ۱۱ (۲۰۱۱) ۶۶۶ ...
R. Blossey, Nature materials, ۲ (۲۰۰۳) ۳۰۱ ...
I. P. Parkin and R. G. Palgrave, Journal of materials ...
L. Dobrzañski, A. Dryga³a, P. Panek, M. Lipiñski, and P. ...
K. Xu, C. Zhang, R. Zhou, R. Ji, and M. ...
X. Liu, P. R. Coxon, M. Peters, B. Hoex, J. ...
R. Einhaus, E. Vazsonyi, J. Szlufcik, J. Nijs, and R. ...
F. Khan and A. Mobin, International Journal of Electronics and ...
G. Chen and I. Kashkoush, ECS Transactions, ۲۵ (۲۰۱۰) ۳ ...
B. Azeredo et al., Nanotechnology, ۲۴ (۲۰۱۳) ۲۲۵۳۰۵ ...
H. Y. Zhang, C. W. Zhao, J. W. Guo, and ...
A. Wagner, (۲۰۰۴) ۱ ...
H. Seidel, L. Csepregi, A. Heuberger, and H. Baumgärtel, Journal ...
I. Zubel and M. Kramkowska, Sensors and Actuators A: Physical, ...
Z. Huang, N. Geyer, P. Werner, J. De Boor, and ...
نمایش کامل مراجع