مطالعه نظری خواص ساختاری والکترونی خوشه های کوچک گالیم نیترید (n=۱-۱۰) GanNn و ایزومرهایشان
Publish place: Applied Chemistry Today، Vol: 11، Issue: 39
Publish Year: 1395
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 62
This Paper With 16 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_CHEM-11-39_001
Index date: 16 September 2024
مطالعه نظری خواص ساختاری والکترونی خوشه های کوچک گالیم نیترید (n=۱-۱۰) GanNn و ایزومرهایشان abstract
در این مطالعه، خواص ساختاری و الکترونی خوشه های GanNn (۱۰-۱=n) با استفاده از فرمولبندی تابعی چگالی(DFT) و به روش PAW در بستهی نرم افزاری VASP مورد بررسی قرار میگیرند. نتایج حاصل ازمحاسبات نشان میدهد که در ساختارهای پایدارتر خوشه های کوچک، اتمهای N تمایل بیشتری به تشکیل پیوند هایی بصورت واحدهای سازندهی ۲N و یون آزید دارند، در حالی که در خوشه بزرگتر، ساختارهای سه بعدی قفس مانند با پیوندهای Ga-N بیشتر ظاهر می شوند. یک افزایش سریع در انرژی بستگی بر اتم از ۱n= به ۲n= به دلیل گذار ساختار از حالت یک بعدی به دو بعدی و افزایش همپوشیهای میان اوربیتالهای N و Ga، جهت رسیدن به پایداری بیشتر است. این تغییرات برای ایزومرهای اول خوشههای ۳ n> روندی تقریبا خطی را دنبال میکنند. پربند چگالی بار نشان می دهد که اگر چه پیوند Ga-N دارای خصلت یونی است ولی بطور خیلی جزئی نیز رفتار کووالانسی از خود نشان می دهد. همچنین پایینترین ترازهای انرژی مربوط به اوربیتال های N-s، ترازهای میانی یک حالت هیبریدی از Ga-s و N-p و ترازهای نزدیک به تراز فرمی مربوط به Ga-p و N-p هستند.
مطالعه نظری خواص ساختاری والکترونی خوشه های کوچک گالیم نیترید (n=۱-۱۰) GanNn و ایزومرهایشان Keywords:
